[發(fā)明專利]有機(jī)發(fā)光二極管顯示器和像素

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410166472.4
• 申請(qǐng)日: 2014-04-23
• 公開（公告）號(hào): CN104124267B
• 公開（公告）日: 2018-10-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 姜昶旭
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/32
• 分類號(hào): H01L27/32;H01L27/06;H01L29/423;H01L27/12
• 代理公司: 北京德琦知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018
• 代理人: 郭艷芳;康泉

本申請(qǐng)公開一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器和像素。該像素包括聯(lián)接至晶體管的電容器、位于電容器的半導(dǎo)體層上方的第一絕緣層、位于第一絕緣層上方的第二絕緣層以及位于第一絕緣層與第二絕緣層之間的阻擋層。電容器的第一極板位于第一絕緣層上，電容器的第二極板位于第二絕緣層上。阻擋層可以由自然氧化物層形成，第一絕緣層可以由不同于阻擋層的材料形成。

技術(shù)領(lǐng)域

本文中的實(shí)施例涉及有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器和像素。

背景技術(shù)

有機(jī)發(fā)光二極管顯示器包括多個(gè)像素，每個(gè)像素包括用于控制供應(yīng)給OLED的電流量的像素電路。供應(yīng)給OLED的電流量是根據(jù)電容器和晶體管的布置來(lái)確定的，晶體管至少包括開關(guān)晶體管和驅(qū)動(dòng)晶體管。通過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管供應(yīng)的電流量確定要發(fā)出的光的灰度值。

為了滿足對(duì)更高分辨率顯示器的不斷增長(zhǎng)的需求，已經(jīng)采用集成技術(shù)。這些技術(shù)包括減小每個(gè)像素的尺寸。減小像素的尺寸允許用較少的電流量驅(qū)動(dòng)像素。然而，由該較少的電流實(shí)現(xiàn)的功耗節(jié)省至少部分被可用于驅(qū)動(dòng)開關(guān)晶體管和驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電壓的范圍縮小相抵消。調(diào)整施加至驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電壓的幅度來(lái)保持可管理的灰度范圍是困難的。

發(fā)明內(nèi)容

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器包括：基板；半導(dǎo)體層，位于所述基板上并且包括彼此分離的開關(guān)半導(dǎo)體層和驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層；第一柵絕緣層，位于所述半導(dǎo)體層上方；開關(guān)柵電極，位于所述第一柵絕緣層上并且與所述開關(guān)半導(dǎo)體層重疊；第二柵絕緣層，位于所述開關(guān)柵電極上方；驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O，位于所述第二柵絕緣層上并且與所述驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層重疊；以及夾層絕緣層，位于所述驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O和所述第二柵絕緣層上方。所述第二柵絕緣層包括位于所述第一柵絕緣層上的第二下柵絕緣層、位于所述第二下柵絕緣層上的裂縫阻擋層以及位于所述裂縫阻擋層上的第二上柵絕緣層。所述裂縫阻擋層包括自然氧化物層。

此外，所述基板可以包括位于所述基板與所述半導(dǎo)體層之間的聚酰亞胺層和/或屏障層。

此外，存儲(chǔ)電容器可以包括位于所述第一柵絕緣層上的第一極板和位于所述第二柵絕緣層上的與所述第一極板重疊的第二極板。

此外，所述顯示器可以包括：掃描線，位于所述基板上并且傳輸掃描信號(hào)；與所述掃描線相交的數(shù)據(jù)線和驅(qū)動(dòng)電壓線，所述數(shù)據(jù)線和所述驅(qū)動(dòng)電壓線分別傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)和驅(qū)動(dòng)電壓；開關(guān)晶體管，聯(lián)接至所述掃描線和所述數(shù)據(jù)線，所述開關(guān)晶體管包括所述開關(guān)半導(dǎo)體層和所述開關(guān)柵電極；驅(qū)動(dòng)晶體管，聯(lián)接至所述開關(guān)晶體管的所述開關(guān)漏電極，所述驅(qū)動(dòng)晶體管包括所述驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層和所述驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O；以及有機(jī)發(fā)光二極管，聯(lián)接至所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述驅(qū)動(dòng)漏電極。

根據(jù)另一實(shí)施例，一種像素包括：晶體管；聯(lián)接至所述晶體管的電容器；位于所述晶體管的半導(dǎo)體層上方的第一絕緣層；位于所述第一絕緣層上方的第二絕緣層；以及位于所述第一絕緣層與所述第二絕緣層之間的阻擋層，其中所述電容器的第一極板位于所述第一絕緣層上，所述電容器的第二極板位于所述第二絕緣層上，并且其中所述阻擋層由自然氧化物層形成，所述第一絕緣層由不同于所述阻擋層的材料形成。

此外，所述半導(dǎo)體層包括驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層，其中所述驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層對(duì)應(yīng)于聯(lián)接至所述電容器的所述晶體管。此外，所述晶體管可以是所述像素的驅(qū)動(dòng)晶體管。

此外，所述像素可以包括開關(guān)晶體管，其中所述第一絕緣層和所述第二絕緣層是所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵絕緣層。

此外，所述開關(guān)晶體管的柵電極位于所述第一絕緣層上。所述第二絕緣層可以位于所述柵電極上方。此外，所述驅(qū)動(dòng)晶體管包括柵電極，所述柵電極可以位于所述第二絕緣層上。所述第一絕緣層可以包括硅，并且有機(jī)發(fā)光二極管可以聯(lián)接至所述電容器的至少一個(gè)節(jié)點(diǎn)。