[發(fā)明專利]等離子體產(chǎn)生裝置、其控制方法及包括它的基板處理裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410166079.5 | 申請(qǐng)日: | 2014-04-23 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104125697B | 公開(公告)日: | 2017-01-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 蔡熙善;趙政熙;李鍾植;李韓生;金賢峻 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | PSK有限公司 |
| 主分類號(hào): | H05H1/46 | 分類號(hào): | H05H1/46;H05H1/02;H01L21/3065 |
| 代理公司: | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11227 | 代理人: | 唐京橋,陳煒 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 等離子體 產(chǎn)生 裝置 控制 方法 包括 處理 | ||
1.一種等離子體產(chǎn)生裝置,包括:
RF電源,其提供RF信號(hào);
等離子體腔室,其提供氣體被注入的空間以產(chǎn)生等離子體;
第一電磁電感器,其安裝在所述等離子體腔室的一部分,并且在所述RF信號(hào)被施加時(shí)在所述等離子體腔室中感應(yīng)電磁場;
第二電磁電感器,其安裝在所述等離子體腔室的另一部分,并且在所述RF信號(hào)被施加時(shí)在所述等離子體腔室中感應(yīng)電磁場;
第一負(fù)載,其連接到所述第一電磁電感器;
第二負(fù)載,其連接到所述第二電磁電感器;以及
控制器,其通過調(diào)整所述第一負(fù)載和所述第二負(fù)載中的至少一個(gè)的阻抗,來控制供應(yīng)至所述第一電磁電感器和所述第二電磁電感器的電力。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中,所述等離子體腔室包括具有大小不同的底部的第一柱狀部和第二柱狀部。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置,其中,
所述第一柱狀部的底部小于所述第二柱狀部的底部,
所述第一電磁電感器安裝在所述第一柱狀部處,并且
所述第二電磁電感器安裝在所述第二柱狀部處。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中,所述第一電磁電感器和所述第二電磁電感器中的至少一個(gè)包括纏繞到所述等離子體腔室的外部的線圈。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中,所述第一電磁電感器和所述第二電磁電感器彼此并聯(lián)連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中,所述第一負(fù)載包括連接到所述第一電磁電感器的輸入端的第一可變電容器,并且所述第二負(fù)載包括連接到所述第二電磁電感器的輸入端的第二可變電容器。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置,進(jìn)一步包括:
測量單元,其測量所述第一可變電容器和所述第二可變電容器的電容,
其中,所述控制器基于測量的電容計(jì)算所述第一負(fù)載和所述第二負(fù)載的阻抗。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,進(jìn)一步包括:
檢測單元,其檢測施加于所述第一電磁電感器和所述第二電磁電感器的RF信號(hào),
其中,基于從所述檢測單元輸入的數(shù)據(jù),所述控制器計(jì)算供應(yīng)至所述第一電磁電感器和所述第二電磁電感器的電力。
9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置,其中,與所述第二電磁電感器相比,所述控制器向所述第一電磁電感器供應(yīng)更大的電力。
10.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置,其中,根據(jù)使用等離子體處理的基板上的薄膜厚度,所述控制器控制供應(yīng)至所述第一電磁電感器和所述第二電磁電感器的電力。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的裝置,其中,
當(dāng)在所述基板的中心區(qū)域形成的薄膜厚度大于在所述基板的邊緣區(qū)域形成的薄膜厚度時(shí),所述控制器增加供應(yīng)至所述第一電磁電感器的電力,并減少供應(yīng)至所述第二電磁電感器的電力,并且
當(dāng)在所述基板的邊緣區(qū)域形成的薄膜厚度大于在所述基板的中心區(qū)域形成的薄膜厚度時(shí),所述控制器減少供應(yīng)至所述第一電磁電感器的電力,并增加供應(yīng)至所述第二電磁電感器的電力。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,進(jìn)一步包括:
第三負(fù)載,其連接到所述第一電磁電感器的接地端;以及
第四負(fù)載,其連接到所述第二電磁電感器的接地端。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的裝置,其中,
所述第三負(fù)載包括第三可變電容器,所述第三可變電容器的電容由所述控制器調(diào)整,并且
所述第四負(fù)載包括第四可變電容器,所述第四可變電容器的電容由所述控制器調(diào)整。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的裝置,其中,所述控制器將所述第三負(fù)載的阻抗調(diào)整為所述第一電磁電感器的阻抗的一半,并且將所述第四負(fù)載的阻抗調(diào)整為所述第二電磁電感器的阻抗的一半。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的裝置,其中,
所述控制器將施加于所述第一電磁電感器的RF信號(hào)和施加于所述第三負(fù)載的RF信號(hào)進(jìn)行比較,并根據(jù)比較結(jié)果調(diào)整所述第三負(fù)載的阻抗,并且
所述控制器將施加于所述第二電磁電感器的RF信號(hào)和施加于所述第四負(fù)載的RF信號(hào)進(jìn)行比較,并根據(jù)比較結(jié)果調(diào)整所述第四負(fù)載的阻抗。
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