[發(fā)明專利]一種檢測集成電路制造工藝中工藝波動的檢測電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410165827.8 | 申請日： | 2014-04-23 |
| 公開（公告）號： | CN103941178B | 公開（公告）日： | 2017-07-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 何燕冬;艾雷;張鋼剛;張興 | 申請（專利權(quán)）人： | 北京大學(xué) |
| 主分類號： | G01R31/317 | 分類號： | G01R31/317 |
| 代理公司： | 北京路浩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11002 | 代理人： | 李迪 |
| 地址： | 100871*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 檢測 集成電路 制造 工藝 波動 電路 | ||
1.一種檢測集成電路制造工藝中工藝波動的檢測電路，其特征在于，所述電路包括環(huán)振電路、時(shí)鐘緩沖級、第一數(shù)級反相器鏈N以及第二數(shù)級反相器鏈P；
所述環(huán)振電路為反相器級聯(lián)構(gòu)成，所述環(huán)振電路的輸出端分別與所述第一數(shù)級反相器鏈N的時(shí)鐘輸入端、第二數(shù)級反相器鏈P的時(shí)鐘輸入端和時(shí)鐘緩沖級的輸入端連接；所述第一數(shù)級反相器鏈N為反相器級聯(lián)，并掛載D觸發(fā)器構(gòu)成，所述D觸發(fā)器位于所述第一數(shù)級反相器鏈N的后端；所述第二數(shù)級反相器鏈P為反相器級聯(lián)，并掛載D觸發(fā)器構(gòu)成，所述D觸發(fā)器位于所述第二數(shù)級反相器鏈P的后端；所述D觸發(fā)器的D端連接其前面的反相器的輸出端，所述D觸發(fā)器的CLK端均連接所述時(shí)鐘緩沖級的輸出端；
其中所述環(huán)振電路中的反相器為寬、長均大的NMOS晶體管和寬、長均大的PMOS晶體管；
所述第一數(shù)級反相器鏈N的反相器為寬、長均小的NMOS晶體管和寬、長均大的PMOS晶體管；
所述第二數(shù)級反相器鏈P的反相器為寬、長均大的NMOS晶體管和寬、長均小的PMOS晶體管；
所述環(huán)振電路的級數(shù)選擇為127級，第一數(shù)級反相器鏈N的級數(shù)選擇為135級，第二數(shù)級反相器鏈P的級數(shù)選擇為295級；
所述第一數(shù)級反相器鏈N的后32級每2級掛一個(gè)D觸發(fā)器，第二數(shù)級反相器鏈P的后64級每4級掛一個(gè)D觸發(fā)器。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，所述環(huán)振電路產(chǎn)生一個(gè)時(shí)鐘信號。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，所述環(huán)振電路的級數(shù)為127級，其反相器的尺寸為，NMOS：1200nm/600nm，PMOS：2520nm/630nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，所述第一數(shù)級反相器鏈N的級數(shù)選擇為135級，其反相器尺寸為NMOS：120nm/60nm，PMOS：2520nm/630nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，所述第二數(shù)級反相器鏈P的級數(shù)選擇為295級，其反相器的尺寸為，NMOS：1200nm/600nm，PMOS：240nm/60nm。
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