[發明專利]太陽能電池和制造該太陽能電池的方法有效
| 申請號: | 201410165536.9 | 申請日: | 2014-04-23 |
| 公開(公告)號: | CN104124302B | 公開(公告)日: | 2017-04-12 |
| 發明(設計)人: | 崔敏鎬;樸鉉定;崔正薰 | 申請(專利權)人: | LG電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L31/06 | 分類號: | H01L31/06;H01L31/18;H01L31/20 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司11127 | 代理人: | 呂俊剛,劉久亮 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 制造 方法 | ||
1.一種太陽能電池,該太陽能電池包括:
半導體基板;
隧穿層,該隧穿層在所述半導體基板的一個表面上;
第一導電類型區域,該第一導電類型區域在所述隧穿層上;
第二導電類型區域,該第二導電類型區域在所述隧穿層上,使得所述第二導電類型區域與所述第一導電類型區域分開;以及
阻擋區域,該阻擋區域插入在所述第一導電類型區域與所述第二導電類型區域之間,使得所述阻擋區域將所述第一導電類型區域與所述第二導電類型區域分開。
2.根據權利要求1所述的太陽能電池,其中,所述阻擋區域包括本征半導體材料或未摻雜的絕緣材料。
3.根據權利要求1所述的太陽能電池,其中,所述第一導電類型區域是n型,所述第二導電類型區域是p型,并且所述第一導電類型區域的面積小于所述第二導電類型區域的面積。
4.根據權利要求1所述的太陽能電池,其中,所述阻擋區域的總面積與所述太陽能電池的總面積之比是0.5%至5%。
5.根據權利要求1所述的太陽能電池,其中,所述阻擋區域圍繞所述第一導電類型區域,并且所述第一導電類型區域具有島形。
6.根據權利要求1所述的太陽能電池,其中,所述第一導電類型區域包括被對準為彼此平行以具有條紋圖案形狀的多個第一分支部,
所述第二導電類型區域包括被對準為彼此平行以具有條紋圖案形狀的多個第二分支部,并且
所述多個第一分支部和所述多個第二分支部交替設置。
7.根據權利要求1所述的太陽能電池,其中,所述阻擋區域的寬度小于所述第一導電類型區域的寬度。
8.根據權利要求1所述的太陽能電池,其中,所述阻擋區域的寬度是0.5μm至100μm。
9.根據權利要求8所述的太陽能電池,其中,所述阻擋區域的寬度是1μm至30μm。
10.根據權利要求1所述的太陽能電池,其中,所述隧穿層包括氧化物和氮化物中的至少一種。
11.根據權利要求1所述的太陽能電池,其中,所述第一導電類型區域、所述第二導電類型區域和所述阻擋區域彼此齊平,并且包括相同的半導體材料。
12.根據權利要求11所述的太陽能電池,其中,所述第一導電類型區域、所述第二導電類型區域和所述阻擋區域包括非晶硅、微晶硅和多晶硅中的至少一種。
13.根據權利要求1所述的太陽能電池,其中,所述隧穿層的厚度是0.5nm至5nm。
14.根據權利要求1所述的太陽能電池,其中,所述第一導電類型區域、所述第二導電類型區域和所述阻擋區域的厚度是50nm至300nm。
15.根據權利要求1所述的太陽能電池,其中,所述半導體基板的所述一個表面具有比所述半導體基板的另一個表面的表面粗糙度低的表面粗糙度。
16.根據權利要求15所述的太陽能電池,其中,具有固定電荷的場效應層形成在所述半導體基板的所述另一個表面上。
17.根據權利要求16所述的太陽能電池,其中,所述半導體基板的與所述場效應層相鄰的部分具有0.5ohm·cm至20ohm·cm的比電阻,并且
所述場效應層的所述固定電荷的量是1×1012/cm2至9×1013/cm2。
18.一種用于制造太陽能電池的方法,該方法包括以下步驟:
在半導體基板的一個表面上形成隧穿層;
在所述隧穿層上形成半導體層;以及
用第一導電類型摻雜物和第二導電類型摻雜物來摻雜所述半導體層,以形成經由阻擋區域被彼此分開的第一導電類型區域和第二導電類型區域。
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H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





