[發明專利]薄膜晶體管及有機發光二極管顯示器制備方法

有效

• 申請號: 201410165431.3
• 申請日: 2014-04-23
• 公開（公告）號: CN103928343B
• 公開（公告）日: 2017-06-20
• 發明（設計）人: 呂曉文;曾志遠
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/32
• 代理公司: 深圳市銘粵知識產權代理有限公司44304
• 代理人: 孫偉峰,楊林

1.一種薄膜晶體管制備方法，包括沉積第一薄膜晶體管(10)和第二薄膜晶體管(20)，其特征在于，采用如下步驟沉積第二薄膜晶體管(20)：

a)在襯底(210)上形成第二薄膜晶體管(20)的第二柵極(221)；

b)在襯底上方依次沉積絕緣層(230)和半導體層(240)，其中絕緣層(230)和半導體層(240)覆蓋第二柵極(221)；

c)在半導體層(240)上方沉積光阻層，并對該光阻層進行曝光；對半導體層(240)和絕緣層(230)進行刻蝕，從而形成第二薄膜晶體管(20)的第二有源層(241)和設于第二柵極(221)上方的第一連接窗口(231)；

d)在絕緣層(230)和第二有源層(241)的上方沉積第二薄膜晶體管(20)的第二源極(251)和第二漏極(252)；

其中，對光阻曝光具體包括：對欲形成第一連接窗口(231)處的光阻進行全曝光；對欲形成第二有源層(241)處的光阻不進行曝光；對處于第二薄膜晶體管(20)上方的其余的光阻進行半曝光；

其中，對半導體層(240)和絕緣層(230)進行刻蝕具體為：采用濕法刻蝕的方法去除全曝光窗口下的半導體層(240)，采用干法刻蝕的方法去除全曝光窗口下的絕緣層(230)，形成第一連接窗口(231)；去除半曝光后的光阻；采用濕法刻蝕的方法對半曝光窗口下的半導體層(240)進行刻蝕，形成第二有源層(241)；去除第二有源層(241)上方的光阻層。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管制備方法，其特征在于，采用O₂灰化的方法去除半曝光后的光阻。

3.根據權利要求1所述的薄膜晶體管制備方法，其特征在于，所述第一薄膜晶體管(10)的第一漏極(151)通過第一連接窗口(231)與第二柵極(221)電連。

4.根據權利要求3所述的薄膜晶體管制備方法，其特征在于，所述第一薄膜晶體管(10)和第二薄膜晶體管(20)均為金屬氧化物薄膜晶體管。

5.根據權利要求4所述的薄膜晶體管制備方法，其特征在于，所述第一薄膜晶體管(10)和第二薄膜晶體管(20)為背通道刻蝕結構或者刻蝕阻擋層結構。

6.一種有機發光二極管顯示器制備方法，包括在基板上沉積薄膜晶體管，其特征在于，采用權利要求1-5任一所述的薄膜晶體管制備方法。