[發明專利]借助轉移柵極升壓讀出圖像傳感器的方法

有效

• 申請號: 201410165300.5
• 申請日: 2014-04-23
• 公開（公告）號: CN104735372A
• 公開（公告）日: 2015-06-24
• 發明（設計）人: 真鍋宗平;柳政澔
• 申請（專利權）人: 全視科技有限公司
• 主分類號: H04N5/378
• 分類號: H04N5/378;H04N5/374
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 齊楊

1.一種用于讀出圖像傳感器的方法，所述圖像傳感器具有：第一光敏區；第二光敏區；共享電荷/電壓機構；第一轉移晶體管，其經安置以將所述第一光敏區選擇性地耦合到所述共享電荷/電壓機構；及第二轉移晶體管，其經安置以將所述第二光敏區選擇性地耦合到所述共享電荷/電壓機構，所述方法包括：

啟用所述第一轉移晶體管以將光生電荷從所述第一光敏區轉移到所述共享電荷/電壓機構；及

在將所述光生電荷從所述第一光敏區轉移到所述共享電荷/電壓機構時，不多于部分地啟用所述第二轉移晶體管以部分地接通所述第二轉移晶體管以增加所述共享電荷/電壓機構的電容。

2.根據權利要求1所述的方法，其中不多于部分地啟用所述第二轉移晶體管以部分地接通所述第二轉移晶體管包含將第一電壓施加到所述第二轉移晶體管的控制端子，所述方法進一步包括通過將第二電壓施加到所述第二轉移晶體管的所述控制端子來啟用所述第二轉移晶體管以將光生電荷從所述第二光敏區轉移到所述共享電荷/電壓機構，其中所述第一電壓小于所述第二電壓。

3.根據權利要求2所述的方法，其中所述第二轉移晶體管包括金屬氧化物半導體場效應晶體管MOSFET，其中所述控制端子為所述MOSFET的柵極端子。

4.根據權利要求3所述的方法，其中所述第二電壓大于或等于所述MOSFET的閾值電壓，且其中所述第一電壓小于所述閾值電壓。

5.根據權利要求1所述的方法，其進一步包括：

啟用所述第二轉移晶體管以將光生電荷從所述第二光敏區轉移到所述共享電荷/電壓機構；及

在將所述光生電荷從所述第二光敏區轉移到所述共享電荷/電壓機構時，不多于部分地啟用所述第一轉移晶體管以部分地接通所述第一轉移晶體管以增加所述共享電荷/電壓機構的所述電容。

6.根據權利要求5所述的方法，其中所述圖像傳感器進一步包括耦合于所述共享電荷/電壓機構與復位電壓源之間的復位晶體管，所述方法進一步包括：

在將所述光生電荷從所述第一光敏區轉移到所述共享電荷/電壓機構之前，啟用所述復位晶體管以將復位電壓施加到所述共享電荷/電壓機構；及

在將所述光生電荷從所述第一光敏區轉移到所述共享電荷/電壓機構之后且在將所述光生電荷從所述第二光敏區轉移到所述電荷/電壓機構之前，啟用所述復位晶體管以將所述復位電壓施加到所述共享電荷/電壓機構。

7.根據權利要求1所述的方法，其中啟用所述第一轉移晶體管以轉移光生電荷包含啟用所述第一轉移晶體管達第一時間周期，且其中不多于部分地啟用所述第二轉移晶體管以部分地接通所述第二轉移晶體管包含部分地啟用所述第二轉移晶體管達第二時間周期，且其中所述第一時間周期具有與所述第二時間周期的開始實質上重合的開始。

8.根據權利要求1所述的方法，其進一步包括：

在將所述光生電荷中的至少一些光生電荷轉移到所述共享電荷/電壓機構之后，停用所述第一轉移晶體管；及

在停用所述第一轉移晶體管之后的延遲時間停用所述第二轉移晶體管，使得在停用所述第一轉移晶體管之后維持所述共享電荷/電壓機構的所述經增加電容達所述延遲時間。

9.根據權利要求1所述的方法，其中所述圖像傳感器為互補金屬氧化物半導體CMOS圖像傳感器，且其中所述第一光敏區包括第一光電二極管且所述第二光敏區包括第二光電二極管。