[發(fā)明專利]封裝結(jié)構(gòu)及其制法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410164603.5
• 申請日: 2014-04-23
• 公開（公告）號: CN104979219B
• 公開（公告）日: 2018-12-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳嘉成;孫銘成;沈子杰;邱士超;蕭惟中;白裕呈;江東昇
• 申請（專利權(quán)）人: 矽品精密工業(yè)股份有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L21/60
• 代理公司: 北京戈程知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

1.一種封裝結(jié)構(gòu)的制法，包括：

提供一具有多個焊墊的承載件；

壓合一壓合體于該承載件上，該壓合體包含增層部與尺寸小于該增層部的離型部，該離型部覆蓋所述焊墊，且該增層部壓合于該離型部與該承載件上，其中，該離型部包含相疊的第一金屬層與第二金屬層，且該第一金屬層結(jié)合至所述焊墊與該承載件上，該增層部包括：

介電層，與該承載件接觸；

板體，具有相對的第一表面與第二表面，并形成于該介電層上，且該離型部的第二金屬層結(jié)合至該板體的第二表面上；以及

導(dǎo)體層，直接形成于該板體的第一表面上；

形成多個貫穿該增層部的導(dǎo)電柱于該增層部中；

利用該導(dǎo)體層，于該板體上制作線路層，且該線路層電性連接該導(dǎo)電柱；

激光切割該增層部，以移除部分該離型部與其上的增層部，以形成開口于該壓合體上；以及

蝕刻移除剩余的該離型部，使所述焊墊外露于該開口，且所述導(dǎo)電柱位于該開口周圍。

2.如權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)的制法，其特征在于，該承載件為預(yù)浸材、聚丙烯、樹脂玻璃纖維或聚醯亞胺。

3.如權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)的制法，其特征在于，該第一金屬層與第二金屬層之間物理性靠合。

4.如權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)的制法，其特征在于，該第二金屬層在該承載件上的投影面積小于該第一金屬層在該承載件上的投影面積。

5.如權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)的制法，其特征在于，該導(dǎo)電柱的形成步驟包括先形成貫穿該增層部的多個穿孔，再于所述穿孔中填充導(dǎo)電材料以作為該導(dǎo)電柱。

6.如權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)的制法，其特征在于，該制法還包括設(shè)置堆棧件至該增層部上，且該堆棧件電性連接該導(dǎo)電柱。

7.如權(quán)利要求6所述的封裝結(jié)構(gòu)的制法，其特征在于，該堆棧件為封裝基板、半導(dǎo)體芯片、硅中介板或封裝件。

8.如權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)的制法，其特征在于，該制法還包括設(shè)置電子組件于該開口中，且該電子組件電性連接所述焊墊。