[發(fā)明專利]用于內(nèi)存組件陣列互連的聚合物電介質(zhì)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410164564.9 | 申請(qǐng)日: | 2005-02-11 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104091816A | 公開(公告)日: | 2014-10-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | C·F·萊昂斯 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 斯班遜有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/28 | 分類號(hào): | H01L27/28;G11C13/00;G11C11/56;B82Y10/00 |
| 代理公司: | 北京戈程知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11314 | 代理人: | 程偉;王錦陽(yáng) |
| 地址: | 美國(guó)加利*** | 國(guó)省代碼: | 美國(guó);US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 內(nèi)存 組件 陣列 互連 聚合物 電介質(zhì) | ||
1.一種半導(dǎo)體裝置(100),包括:
襯底(101);
在襯底(101)上方的聚合物電介質(zhì)(103);以及
形成在該聚合物電介質(zhì)(103)內(nèi)的至少一個(gè)有源裝置(104),其包括有機(jī)半導(dǎo)體材料(112)與無(wú)源層(114);
其中,該聚合物電介質(zhì)(103)的材料的選擇是基于該聚合物電介質(zhì)(103)的熱膨脹系數(shù)是否實(shí)質(zhì)吻合該有機(jī)半導(dǎo)體材料(112)與該無(wú)源層(114)的熱膨脹系數(shù),該聚合物電介質(zhì)(103)包括選自下列所組成的群組中的至少之一:氫聚倍半硅氧烷,甲基聚倍半硅氧烷,丁基聚倍半硅氧烷,苯基聚倍半硅氧烷,聚亞苯基,聚硅氮烷,聚苯基喹喔啉,2,2-雙三氟甲基-4,5-二氟-1,3-二氧雜環(huán)戊烯的共聚物,全氟烷氧基樹脂,氟化的乙烯丙烯,氟甲基丙烯酸酯,聚(芳基醚),氟化的聚(芳基醚),氟化的派瑞林,聚(對(duì)二甲苯),氟化的聚(對(duì)二甲苯),派瑞林F、派瑞林N,派瑞林C,派瑞林D,非晶的聚四氟乙烯,聚喹啉,聚苯基喹喔啉,以及該有機(jī)半導(dǎo)體材料(112)包括選自下列所組成的群組中的至少之一:聚(叔丁基)二苯基乙炔;聚(三氟甲基)二苯基乙炔;聚雙(三氟甲基)乙炔;聚雙(叔丁基聯(lián)苯基)乙炔;聚(三甲基硅烷基)苯基乙炔;聚(咔唑)二苯基乙炔;聚二乙炔;聚苯基乙炔;聚嘧啶乙炔;聚甲氧基苯基乙炔;聚甲基苯基乙炔;聚(叔丁基)苯基乙炔;聚硝基-苯基乙炔;聚(三氟甲基)苯基乙炔;聚(三甲基硅烷基)苯基乙炔;聚二吡咯基甲烷;聚吲哚醌;聚二羥基吲哚;聚三羥基吲哚;呋喃-聚二羥基吲哚;聚吲哚醌-2-羧基;聚吲哚醌;聚苯并雙噻唑;聚(對(duì)苯硫醚);聚硅烷;聚呋喃;聚吲哚;聚薁;聚亞苯基;聚嘧啶;聚聯(lián)嘧啶;聚六噻吩;聚(硅酮半紫菜嗪);聚(鍺酮半紫菜嗪);聚(伸乙二氧基噻吩)以及聚嘧啶金屬絡(luò)合物。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置(100),其中,該聚合物電介質(zhì)(103)包括可自圖案化的材料。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置(100),其中,該聚合物電介質(zhì)(103)的玻璃轉(zhuǎn)化溫度或熔點(diǎn)在125℃或以上以及在425℃或以下,該聚合物電介質(zhì)(103)的介電常數(shù)為3以下。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置(100),還包括導(dǎo)電聚合物。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置(100),其中,該無(wú)源層(114)包括選自下列所組成的群組中的至少之一:銅硫化物、銅氧化物、銅硒化物、銅碲化物、錳氧化物、二氧化鈦、銦氧化物、銀硫化物、金硫化物、鐵氧化物、鈷砷化物以及鎳砷化物。
6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置(100),其中,該銅硫化物是富含銅的銅硫化物。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





