[發明專利]一種缺陷檢測和觀察設備的位置同步方法有效
| 申請號： | 201410164124.3 | 申請日： | 2014-04-22 |
| 公開（公告）號： | CN104022052B | 公開（公告）日： | 2017-07-07 |
| 發明（設計）人： | 倪棋梁;陳宏璘;龍吟 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/66 | 分類號： | H01L21/66;H01L21/68;G01N23/22 |
| 代理公司： | 上海申新律師事務所31272 | 代理人： | 吳俊 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 缺陷 檢測 觀察 設備 位置 同步 方法 | ||
1.一種缺陷檢測和觀察設備的位置同步方法，應用于晶圓缺陷的檢測和觀察，所述缺陷檢測和觀察設備包括缺陷檢測設備和缺陷觀察設備，其特征在于，該方法包括以下步驟：
步驟1，提供參照晶圓，所述參照晶圓上設有數量大于2顆的缺陷；
步驟2，采用所述缺陷檢測設備檢測所述參照晶圓，并通過缺陷觀察設備觀察所述缺陷，以得到所述缺陷檢測設備和缺陷觀察設備的中心位置的第一偏差值，所述缺陷觀察設備根據所述第一偏差值對缺陷的觀察程序進行修正，以使得所述缺陷檢測設備和缺陷觀察設備的中心位置保持一致；
步驟3，經過設定的時間間隔后，再次通過所述缺陷檢測設備和缺陷觀察設備檢測和觀察所述參照晶圓的缺陷，以得到所述缺陷檢測設備和缺陷觀察設備的中心位置的第二偏差值；
步驟4，所述缺陷觀察設備根據所述第二偏差值對第一偏差值進行修正和更新，以保持所述缺陷檢測設備和缺陷觀察設備的中心位置的一致；
其中，所述缺陷觀察設備為電子顯微鏡。
2.如權利要求1所述的缺陷檢測和觀察設備的位置同步方法，其特征在于，所述參照晶圓上的缺陷隨機分布。
3.如權利要求1所述的缺陷檢測和觀察設備的位置同步方法，其特征在于，所述設定的時間間隔為6～8天。
4.如權利要求1所述的缺陷檢測和觀察設備的位置同步方法，其特征在于，所述缺陷檢測和觀察設備的位置同步方法適用于所述參照晶圓芯片電路圖形關鍵尺寸在20nm以下的制程。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
