[發明專利]淺溝槽隔離的制備方法

在審

• 申請號: 201410164073.4
• 申請日: 2014-04-22
• 公開（公告）號: CN104051321A
• 公開（公告）日: 2014-09-17
• 發明（設計）人: 桑寧波;雷通;賀忻;方精訓
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 吳俊

1.一種淺溝槽隔離的制備方法，其特征在于，所述方法包括：

步驟S1、提供一設置有淺溝槽的半導體結構；

步驟S2、采用高密度等離子體化學氣相沉積工藝在所述淺溝槽中填充二氧化硅薄膜，該二氧化硅薄膜的表面呈U形，且覆蓋所述淺溝槽的側壁；

步驟S3、采用SiCoNi預清洗工藝對所述二氧化硅薄膜進行刻蝕，以去除部分覆蓋所述淺溝槽側壁的二氧化硅薄膜，使所述二氧化硅薄膜的表面水平，且該表面與所述淺溝槽的頂部之間的距離不超過

步驟S4、對所述淺溝槽的側壁進行熱氧化工藝；

步驟S5、進行退火工藝；

步驟S6、采用等離子體化學氣相沉積工藝制備二氧化硅填充所述淺溝槽中剩余的部分。

2.如權利要求1所述的淺溝槽隔離的制備方法，其特征在于，所述半導體結構根據以下步驟制備：

提供一晶圓硅襯底，并在所述晶圓硅襯底上沉積一層刻蝕阻擋層；

采用光刻工藝和刻蝕工藝刻蝕所述刻蝕阻擋層，刻蝕至所述晶圓硅襯底時停止；

利用被刻蝕過的刻蝕阻擋層為刻蝕掩膜，刻蝕所述晶圓硅襯底，于所述晶圓硅襯底中形成淺溝槽隔離。

3.如權利要求1所述的淺溝槽隔離的制備方法，其特征在于，所述步驟S4中，所述U形二氧化硅薄膜底部的上表面距離所述淺溝槽頂部距離為

4.如權利要求1所述的淺溝槽隔離的制備方法，其特征在于，所述熱氧化工藝對所述淺溝槽的側壁生長的所述二氧化硅層厚度為

5.如權利要求1所述的淺溝槽隔離的制備方法，其特征在于，步驟S6中，采用等離子體化學氣相沉積工藝制備的二氧化硅的厚度在以上。

6.如權利要求1所述的淺溝槽隔離的制備方法，其特征在于，步驟S6中，所述二氧化硅的均勻性在3％以內。

7.如權利要求1所述的淺溝槽隔離的制備方法，其特征在于，所述高密度等離子體化學氣相沉積工藝與所述等離子體化學氣相沉積工藝在同一設備中完成。