[發明專利]一種形成淺溝槽隔離的方法

有效

• 申請號: 201410164057.5
• 申請日: 2014-04-22
• 公開（公告）號: CN104022066B
• 公開（公告）日: 2017-01-04
• 發明（設計）人: 黃海輝;楊渝書;秦偉;高慧慧
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762
• 代理公司: 上海申新律師事務所31272
• 代理人: 吳俊

1.一種形成淺溝槽隔離的方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟S1，提供一半導體結構，所述半導體結構包括一硅襯底和按照從下至上的順序依次形成于該硅襯底表面的襯墊氧化層、氮化硅層和底部抗反射層；

步驟S2，于所述底部抗反射層的表面涂布光刻膠后，經曝光、顯影后，形成具有溝槽圖案的光阻；

步驟S3，以所述光阻為掩膜對所述底部抗反射層進行刻蝕后，對該光阻和剩余的底部抗反射層進行線寬修正工藝；

步驟S4，以修正后的光阻和剩余的底部抗反射層為掩膜對所述氮化硅層進行刻蝕后，依次去除所述修正后的光阻和修正后剩余的底部抗反射層；

步驟S5，繼續以剩余的氮化硅層為掩膜并采用含有聚合物的刻蝕氣體對所述襯墊氧化層進行刻蝕，并于所述剩余的氮化硅層的部分側壁、剩余的襯墊氧化層的側壁以及所述硅襯底的部分表面形成一聚合物保護層后，以所述聚合物保護層為掩膜對所述硅襯底進行刻蝕形成淺溝槽隔離結構。

2.如權利要求1所述的形成淺溝槽隔離的方法，其特征在于，所述方法還包括：

步驟S6，繼續對所述已形成淺溝槽隔離結構的半導體結構進行化學清洗以去除所述聚合物保護層。

3.如權利要求1所述的形成淺溝槽隔離的方法，其特征在于，所述步驟S3中，所述線寬修正工藝具體為采用C_xH_yF_z/HBr/O₂對所述光阻和所述剩余的底部抗反射層進行各向同性刻蝕，且所述線寬修正工藝將所述光阻和所述剩余的底部抗反射層的寬度由線寬修正工藝前的第一線寬尺寸減小到線寬修正工藝后的第二線寬尺寸。

4.如權利要求3所述的形成淺溝槽隔離的方法，其特征在于，所述根據工藝需求設定所述第二線寬尺寸的值。

5.如權利要求3所述的形成淺溝槽隔離的方法，其特征在于，根據所述第一線寬尺寸的值和所述第二線寬尺寸的值確定進行所述線寬修正工藝的時間。

6.如權利要求1所述的形成淺溝槽隔離的方法，其特征在于，所述聚合物為高分子聚合物。

7.如權利要求1所述的形成淺溝槽隔離的方法，其特征在于，所述刻蝕氣體為C_xH_yF_z/HBr的氣體組合。

8.如權利要求1所述的形成淺溝槽隔離的方法，其特征在于，在55CIS形成淺溝槽隔離的工藝中，所述刻蝕氣體為30HBr/100CHF3/26He的氣體組合。

9.如權利要求1所述的形成淺溝槽隔離的方法，其特征在于，還包括：

通過控制所述含聚合物的刻蝕氣體的用量來調節形成的淺溝槽隔離結構的頂端尖角的圓滑化程度。