[發明專利]一種建立金屬-絕緣體-金屬電容模型的方法

有效

• 申請號: 201410163870.0
• 申請日: 2014-04-22
• 公開（公告）號: CN105095533B
• 公開（公告）日: 2018-09-21
• 發明（設計）人: 邵芳;葉好華
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: G06F17/50
• 分類號: G06F17/50
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 高偉;馮永貞

本發明涉及一種建立金屬?絕緣體?金屬電容模型的方法，所述方法包括步驟(a)設計金屬?絕緣體?金屬電容測試結構模型；步驟(b)根據所述步驟(a)中的所述測試結構模型建立模型方程式和格式；步驟(c)根據步驟(b)中所述模型方程式和格式抽取模型，以得到金屬?絕緣體?金屬電容模型。本發明中提供了一種新的建立金屬?絕緣體?金屬電容模型的方法，所述方法中選用尺寸可以變的單一模型，在所述模型中包括多個金屬層，每個金屬層中包括第一梳狀結構和第二梳狀結構，其中梳齒相互平行交錯，所述模型耗費更少的建模時間以及占用更少的測試版圖面積，可以進一步降低產品的成本，所述模型能夠得到更加自由的使用，提高效率。

技術領域

本發明涉及半導體領域，具體地，本發明涉及一種建立金屬-絕緣體-金屬電容模型的方法。

背景技術

對于高容量的半導體存儲裝置需求的日益增加，這些半導體存儲裝置的集成密度受到人們的關注，為了增加半導體存儲裝置的集成密度，現有技術中采用了許多不同的方法，例如通過減小晶片尺寸和/或改變內結構單元而在單一晶片上形成多個存儲單元。

隨著半導體技術的不斷發展集成電路以及大型的集成電路得到廣泛的應用，組成集成電路的元器件中可以是無源的或者是有源的，當所述元器件為無源器件時成為集成無源器件(integrated passive device，IPD)，IPD提供高精度電容及高性能電感等無源器件的集成，目前在射頻上的應用成為新熱點。

所述無源器件中包括金屬-絕緣層-金屬電容，金屬-絕緣層-金屬電容由于其性能優越，越來越多的應用與IC中，現有技術中所述的金屬-絕緣層-金屬電容模型由金屬構成，但是所述模型僅適用于具體的版圖結構。

現有技術中雖然存在少數的金屬-絕緣層-金屬電容模型，但是所述模型僅使用一種類型的金屬層相結合形成一個模型來描述金屬-絕緣層-金屬電容的性能，例如將第一金屬層M1到第六金屬層M6相結合形成電容時，需要提供一個模型，將第二金屬層M2到第六金屬層M6相結合形成另外一個金屬電容時，需要提供另外一個模型，客戶所提供的模型不能夠得到自由充分的利用，而只能使用客戶提供的模型，但是隨著晶圓尺寸的減小，不可能在晶圓上設置足夠的檢測結構以提取所有金屬-絕緣層-金屬電容模型。

因此，需要對現有技術中所述金屬-絕緣層-金屬電容模型的建立方法作進一步的改進，以便能夠消除上述問題。

發明內容

在發明內容部分中引入了一系列簡化形式的概念，這將在具體實施方式部分中進一步詳細說明。本發明的發明內容部分并不意味著要試圖限定出所要求保護的技術方案的關鍵特征和必要技術特征，更不意味著試圖確定所要求保護的技術方案的保護范圍。

本發明為了克服目前存在問題，提供了一種建立金屬-絕緣體-金屬電容模型的方法，包括：

步驟(a)設計金屬-絕緣體-金屬電容測試結構模型；

步驟(b)根據所述步驟(a)中的所述測試結構模型建立模型方程式和格式；

步驟(c)根據步驟(b)中所述模型方程式和格式抽取模型，以得到金屬-絕緣體-金屬電容模型。

作為優選，所述步驟(a)包括以下子步驟：

步驟(a-1)選擇所述測試結構模型中使用的金屬層，所述金屬層包括第一類型金屬層和第二類型金屬層；

步驟(a-2)設定所述金屬層的參數；

步驟(a-3)根據所述金屬層和所述參數計算得到所述測試結構模型的數目。

作為優選，所述金屬層包括若干層，其中每層所述金屬層中至少包括相對設置的第一梳狀結構和第二梳狀結構，所述第一梳狀結構的梳齒和所述第二梳狀結構的梳齒相互交錯并且隔離。