[發明專利]一種淺溝槽結構及淺溝槽填充方法

在審

• 申請號: 201410163860.7
• 申請日: 2014-04-22
• 公開（公告）號: CN104022065A
• 公開（公告）日: 2014-09-03
• 發明（設計）人: 張志剛
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 吳俊

1.一種淺溝槽結構，其特征在于，包括基底、第一側壁和第二側壁，所述第一側壁和第二側壁設于所述基底之上，所述第一側壁和第二側壁對稱設置并形成淺溝槽，所述淺溝槽包括上部和下部，所述下部臨近所述基底，所述上部遠離所述基底，形成所述淺溝槽上部的部分第一側壁和部分第一側壁的相對于所述基底的斜率小于形成所述淺溝槽下部的部分第一側壁和部分第二側壁的斜率。

2.如權利要求1所述的淺溝槽結構，其特征在于，所述淺溝槽的截面呈喇叭形。

3.如權利要求2所述的淺溝槽結構，其特征在于，所述淺溝槽的上部和下部之間還包括中部，形成所述淺溝槽中部的部分第一側壁和部分第一側壁的斜率大于形成所述淺溝槽上部的部分第一側壁和部分第二側壁的斜率，并小于形成所述淺溝槽下部的部分第一側壁和部分第二側壁的斜率。

4.如權利要求3所述的淺溝槽結構，其特征在于，形成所述淺溝槽的第一側壁和第一側壁的斜率在淺溝槽的上部至下部的方向上逐漸增大，所述淺溝槽的截面呈光滑曲面構成的喇叭形。

5.如權利要求2所述的淺溝槽結構，其特征在于，形成所述淺溝槽下部的部分第一側壁和部分第二側壁的斜率大于85～88。

6.如權利要求2所述的淺溝槽結構，其特征在于，形成所述淺溝槽上部的部分第一側壁和部分第一側壁的斜率小于85～88。

7.如權利要求1所述的淺溝槽結構，其特征在于，所述第一側壁和第二側壁的頂部為氮化硅層。

8.一種淺溝槽填充方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1，形成如權利要求1至7任一項所述的淺溝槽結構；

步驟2，進行淺溝槽隔絕層淀積；

步驟3，將所述第一側壁和第二側壁頂部的氮化硅層移除。

9.如權利要求8所述的方法，其特征在于，所述步驟1中通過干法刻蝕形成淺溝槽結構。