[發明專利]一種球狀CdSe/Cu2O異質結材料制備方法在審
| 申請號: | 201410163723.3 | 申請日: | 2014-04-23 |
| 公開(公告)號: | CN103924277A | 公開(公告)日: | 2014-07-16 |
| 發明(設計)人: | 鐘福新;王丹宇;莫德清;王偉;黎燕;王蘇寧;朱義年 | 申請(專利權)人: | 桂林理工大學 |
| 主分類號: | C25D9/08 | 分類號: | C25D9/08 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 541004 廣*** | 國省代碼: | 廣西;45 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 球狀 cdse cu sub 異質結 材料 制備 方法 | ||
1.?一種球狀CdSe/Cu2O異質結材料的制備方法,其特征在于具體步驟:
(1)將1.2800g~1.7067g?CdSO4、0.0115g~0.0128g?H2SeO3、0.9g~1.9g?Na2SO4和100mL水混合,置于30℃~50℃水浴中;
(2)以ITO導電玻璃為陰極,高純鉑片為陽極,放入步驟(1)所得溶液中,在1.9V~2.4V直流電壓下沉積30~50分鐘,制得CdSe薄膜;
(3)將20mL濃度為?3mol/L乳酸溶液和20mL濃度為?0.4mol/L?CuSO4溶液混合,并用濃度為4mol/L?的NaOH調節pH值為9-10,置于40℃~50℃水浴中,制得電解液;
(4)以沉積有步驟(2)所得CdSe薄膜的ITO為陰極,高純鉑片為陽極,放入步驟(3)所得電解液中,在1.2V~1.5V直流電壓下沉積5~10分鐘,即制備出球狀CdSe/Cu2O異質結材料。
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