[發(fā)明專利]晶圓測(cè)試結(jié)果圖標(biāo)記修改方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410163495.X | 申請(qǐng)日: | 2014-04-22 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103970938B | 公開(公告)日: | 2017-07-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 魏文;李強(qiáng);蔡恩靜 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號(hào): | G06F17/50 | 分類號(hào): | G06F17/50 |
| 代理公司: | 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)31237 | 代理人: | 王宏婧 |
| 地址: | 201203 上海市*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 測(cè)試 結(jié)果 圖標(biāo) 修改 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體產(chǎn)品良率分析和提升領(lǐng)域,更具體地說,本發(fā)明涉及一種晶圓測(cè)試結(jié)果圖標(biāo)記修改方法。
背景技術(shù)
晶圓測(cè)試(CP test,也稱為芯片功能測(cè)試)是一種晶圓級(jí)測(cè)試。晶圓測(cè)試在芯片切割及封裝之前對(duì)裸片進(jìn)行測(cè)試,以測(cè)試裸片是否合格。
芯片功能測(cè)試之后會(huì)得到一個(gè)表示芯片功能測(cè)試結(jié)果分布的晶圓測(cè)試結(jié)果圖(CP Map:Chip probe Map)。在晶圓測(cè)試結(jié)果圖中,一般會(huì)將通過芯片功能測(cè)試的合格裸片(一般可標(biāo)記為Bin1類)以及未通過芯片功能測(cè)試的不合格裸片(即,失效裸片)(一般可標(biāo)記為Bin類)分別標(biāo)記出來。
投片客戶會(huì)根據(jù)晶圓測(cè)試結(jié)果圖選擇裸片以進(jìn)行后續(xù)的封裝、成測(cè)以及出貨。所以,晶圓測(cè)試結(jié)果圖的合格裸片是客戶最關(guān)心的芯片。但在芯片的生產(chǎn)制造的過程中,往往會(huì)因?yàn)榫€上的工藝異常或線上反應(yīng)腔內(nèi)粒子的影響,會(huì)造成芯片功能測(cè)試的晶圓測(cè)試結(jié)果圖上出現(xiàn)特定區(qū)域的失效,而且在更嚴(yán)重的情形下,失效裸片的周圍的合格裸片也會(huì)有潛在的可靠性的風(fēng)險(xiǎn)。在這種狀況下,客戶通常會(huì)要求流片廠對(duì)失效裸片周圍的合格裸片也相應(yīng)地標(biāo)記出來,做廢棄處理。
由于芯片功能測(cè)試的不合格裸片在晶圓測(cè)試結(jié)果圖上的分布形狀可能各式各樣,要對(duì)不同分布形態(tài)的不合格裸片的外圍進(jìn)行標(biāo)記出來很難自動(dòng)實(shí)現(xiàn),傳統(tǒng)的方式只能通過人工在晶圓測(cè)試結(jié)果圖的文檔里手動(dòng)去完成標(biāo)記。
由于需要標(biāo)記裸片的晶圓測(cè)試結(jié)果圖通常很多,在量產(chǎn)的過程中可能涉及幾百片的晶圓都需要這樣處理晶圓測(cè)試結(jié)果圖,所以手動(dòng)進(jìn)行非常耗時(shí)而且可能由于人工疏忽而弄錯(cuò)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在上述缺陷,提供一種能夠自動(dòng)對(duì)不合格裸片的外圍的合格裸片進(jìn)行相應(yīng)標(biāo)記的晶圓測(cè)試結(jié)果圖標(biāo)記修改方法。
為了實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的,根據(jù)本發(fā)明,提供了一種晶圓測(cè)試結(jié)果圖標(biāo)記修改方法,其包括:
第一步驟,用于根據(jù)晶圓測(cè)試結(jié)果圖自動(dòng)生成晶圓測(cè)試結(jié)果圖文本文件;
第二步驟,用于利用Excel Macro程序?qū)ι傻木A測(cè)試結(jié)果圖文本文件進(jìn)行自動(dòng)識(shí)別以標(biāo)記出不合格的失效裸片;
第三步驟,用于在Excel Macro程序中針對(duì)失效裸片自動(dòng)對(duì)圍繞失效裸片的合格晶圓進(jìn)行附加標(biāo)記。
優(yōu)選地,所述晶圓測(cè)試結(jié)果圖標(biāo)記修改方法還包括第四步驟,用于利用Perl script程序?qū)Ω郊訕?biāo)記后的晶圓測(cè)試結(jié)果圖文本文件進(jìn)行格式轉(zhuǎn)換。
優(yōu)選地,在第三步驟中,采用九宮格模型執(zhí)行對(duì)圍繞失效裸片的合格晶圓的附加標(biāo)記。
優(yōu)選地,在第三步驟中,對(duì)于以任意不合格的失效裸片作為左上角的九宮格,在該九宮格中不合格的失效裸片的數(shù)量大于或者等于2顆時(shí),將該九宮格中的所有合格裸片確定為將做附加標(biāo)記的裸片。
本發(fā)明利用Excel Macro對(duì)晶圓測(cè)試結(jié)果圖上的失效裸片進(jìn)行自動(dòng)識(shí)別,然后進(jìn)行自動(dòng)替換,從而將需要標(biāo)記出的合格裸片自動(dòng)轉(zhuǎn)變成做報(bào)廢處理的裸片的標(biāo)記。由此,本發(fā)明提供了一種能夠自動(dòng)對(duì)不合格裸片的外圍的合格裸片進(jìn)行相應(yīng)標(biāo)記的晶圓測(cè)試結(jié)果圖標(biāo)記修改方法。
附圖說明
結(jié)合附圖,并通過參考下面的詳細(xì)描述,將會(huì)更容易地對(duì)本發(fā)明有更完整的理解并且更容易地理解其伴隨的優(yōu)點(diǎn)和特征,其中:
圖1示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的晶圓測(cè)試結(jié)果圖標(biāo)記修改方法的流程圖。
圖2至圖9示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的晶圓測(cè)試結(jié)果圖標(biāo)記修改方法的附加標(biāo)記的優(yōu)選示例。
圖10示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的晶圓測(cè)試結(jié)果圖標(biāo)記修改方法的附加標(biāo)記的優(yōu)選示例所得到的結(jié)果。
需要說明的是,附圖用于說明本發(fā)明,而非限制本發(fā)明。注意,表示結(jié)構(gòu)的附圖可能并非按比例繪制。并且,附圖中,相同或者類似的元件標(biāo)有相同或者類似的標(biāo)號(hào)。
具體實(shí)施方式
為了使本發(fā)明的內(nèi)容更加清楚和易懂,下面結(jié)合具體實(shí)施例和附圖對(duì)本發(fā)明的內(nèi)容進(jìn)行詳細(xì)描述。
本發(fā)明采用程序自動(dòng)識(shí)別的方式,采用九宮格模型,利用Excel Macro對(duì)晶圓測(cè)試結(jié)果圖上的失效裸片進(jìn)行自動(dòng)識(shí)別,然后進(jìn)行自動(dòng)替換,從而將需要標(biāo)記出的合格裸片自動(dòng)轉(zhuǎn)變成做報(bào)廢處理的裸片的標(biāo)記。
其中,修改晶圓測(cè)試結(jié)果圖標(biāo)記的主體工作都是在Excel Macro里完成,在針對(duì)一些特定客戶有不用格式的要求,可以用Perl script進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)其他格式的轉(zhuǎn)換。整個(gè)流程實(shí)現(xiàn)起來,實(shí)施效果準(zhǔn)確快捷,可進(jìn)行大量晶圓的批處理。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于上海華力微電子有限公司,未經(jīng)上海華力微電子有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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