[發明專利]柵氧化層的制造方法無效
| 申請號： | 201410163438.1 | 申請日： | 2014-04-22 |
| 公開（公告）號： | CN103972070A | 公開（公告）日： | 2014-08-06 |
| 發明（設計）人： | 張紅偉 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/283 | 分類號： | H01L21/283 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氧化 制造 方法 | ||
1.一種柵氧化層的制造方法，其特征在于，包括：
提供一硅襯底；
對所述硅襯底進行熱氧化工藝，以在所述硅襯底的表面上形成二氧化硅柵氧化層；
對所述二氧化硅柵氧化層采用等離子體氮化工藝進行氮注入，以形成氮氧化硅柵氧化層；
對所述氮氧化硅柵氧化層采用高溫氮化工藝以修復晶格損傷并形成穩定的Si-N鍵；
對高溫氮化處理后的氮氧化硅柵氧化層采用低溫氧化工藝以修復SiO2/Si之間的界面。
2.如權利要求1所述的柵氧化層的制造方法，其特征在于，所述熱氧化工藝包括快速熱處理工藝和/或垂直爐管工藝。
3.如權利要求2所述的柵氧化層的制造方法，其特征在于，所述快速熱處理工藝包括原位水蒸氣氧化工藝和/或快速熱氧化工藝。
4.如權利要求3所述的柵氧化層的制造方法，其特征在于，所述原位水蒸氣氧化工藝包括以N2O和H2為反應氣體的一氧化二氮原位水蒸氣氧化工藝和/或以O2和H2為反應氣體的氫氣原位水蒸氣氧化工藝。
5.如權利要求1所述的柵氧化層的制造方法，其特征在于，所述等離子體氮化工藝包括去耦等離子體氮化工藝、遠程等離子體氮化工藝和/或垂直擴散設備的氮化處理工藝。
6.如權利要求5所述的柵氧化層的制造方法，其特征在于，所述垂直擴散設備采用的氮源為NO、N2O或NH3中的任意一種。
7.如權利要求1所述的柵氧化層的制造方法，其特征在于，所述高溫氮化工藝采用的工藝氣體包括氮氣和氬氣，所述高溫氮化工藝的溫度在1000℃以上。
8.如權利要求1所述的柵氧化層的制造方法，其特征在于，所述高溫氮化工藝的溫度范圍在1000℃到1100℃之間。
9.如權利要求1所述的柵氧化層的制造方法，其特征在于，所述低溫氧化工藝采用的工藝氣體為純氧或氫氣與氧氣的混合氣體，所述低溫氧化工藝的溫度范圍在800℃以下。
10.如權利要求1所述的柵氧化層的制造方法，其特征在于，所述低溫氧化工藝的溫度范圍在500℃到800℃之間。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
