[發(fā)明專利]鏈式通孔結(jié)構樣品處理方法及失效測試方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410163436.2 | 申請日: | 2014-04-22 |
| 公開(公告)號: | CN103972047A | 公開(公告)日: | 2014-08-06 |
| 發(fā)明(設計)人: | 唐涌耀;陳強 | 申請(專利權)人: | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;H01L21/768;G01R31/28 |
| 代理公司: | 上海思微知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 王宏婧 |
| 地址: | 201203 上海市*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 鏈式 結(jié)構 樣品 處理 方法 失效 測試 | ||
1.一種鏈式通孔結(jié)構樣品處理方法,其特征在于,包括:
提供一鏈式通孔結(jié)構初始樣品,所述鏈式通孔結(jié)構初始樣品包括形成于一介質(zhì)層中的第一溝槽、第二溝槽以及通孔,形成于所述第一溝槽中的第一銅金屬層,形成于所述通孔以及第二溝槽側(cè)壁的鉭層,形成于所述通孔中且位于所述鉭層上的銅插塞,形成于所述第二溝槽中且位于鉭層上的第二銅金屬層,所述銅插塞與所述第二銅金屬層和第一銅金屬層連接;
對所述鏈式通孔結(jié)構初始樣品進行研磨,直至暴露所述第二銅金屬層;
采用濕法刻蝕工藝去除所述第二銅金屬層和所述銅插塞,形成鏈式通孔結(jié)構測試樣品。
2.如權利要求1所述的鏈式通孔結(jié)構樣品處理方法,其特征在于,所述濕法刻蝕工藝采用的溶液為氨水與過氧化氫的混合液。
3.如權利要求2所述的鏈式通孔結(jié)構樣品處理方法,其特征在于,所述氨水與過氧化氫的體積比為1:1~1:1.2。
4.如權利要求1所述的鏈式通孔結(jié)構樣品處理方法,其特征在于,所述濕法刻蝕工藝采用的溶液為硝酸。
5.如權利要求4所述的鏈式通孔結(jié)構樣品處理方法,其特征在于,所述硝酸的濃度為60~80%。
6.如權利要求1所述的鏈式通孔結(jié)構樣品處理方法,其特征在于,所述鏈式通孔結(jié)構初始樣品還包括形成于所述通孔以及第二溝槽側(cè)壁的氮化鉭層,所述鉭層覆蓋于所述氮化鉭層。
7.如權利要求1所述的鏈式通孔結(jié)構樣品處理方法,其特征在于,所述鏈式通孔結(jié)構初始樣品還包括與所述第二銅金屬層以及所述第一銅金屬層電連接的金屬焊墊。
8.一種鏈式通孔結(jié)構失效測試方法,其特征在于,使用聚焦離子束顯微鏡對如權利要求1至7中任意一項所述的鏈式通孔結(jié)構測試樣品進行電壓對比度測試,以確定所述鏈式通孔結(jié)構測試樣品的失效位置。
9.如權利要求7所述的鏈式通孔結(jié)構失效測試方法,其特征在于,將所述鏈式通孔結(jié)構測試樣品的一金屬焊墊接地,然后使用聚焦離子束顯微鏡進行電壓對比度測試。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





