[發(fā)明專利]配線基板的處理方法以及使用該方法制造的配線基板有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410163190.9 | 申請日： | 2014-04-22 |
| 公開（公告）號： | CN104120427B | 公開（公告）日： | 2017-11-28 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 鈴木智子;田代憲史;內(nèi)藤幸英;一鄉(xiāng)亞加梨 | 申請（專利權(quán)）人： | 三菱瓦斯化學株式會社;菱江化學株式會社 |
| 主分類號： | C23F1/18 | 分類號： | C23F1/18;H05K3/06 |
| 代理公司： | 北京林達劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)11277 | 代理人： | 劉新宇,李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 配線基板 處理 方法 以及 使用 制造 | ||
1.一種配線基板的處理方法，其包括：
在半加成法中，使包含作為晶種層的無電解銅和作為配線圖案的電解銅的配線基板接觸包含(a)氯離子和(b)水的蝕刻前處理用液體組合物的第一工序；以及
接著，利用包含(c)過氧化氫、(d)硫酸、(e)四唑類、(f)氯離子、(g)銅離子和(h)水的蝕刻用液體組合物對已處理的配線基板進行蝕刻處理的第二工序。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的配線基板的處理方法，其中，在所述第一工序與所述第二工序之間不進行清洗和/或干燥工序。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的配線基板的處理方法，其中，所述蝕刻前處理用液體組合物中的(a)氯離子濃度為1～10ppm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的配線基板的處理方法，其中，所述(a)氯離子是由選自氯化鈉、氯化銨、氯化鉀和鹽酸中的至少1種化合物生成的氯離子。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的配線基板的處理方法，其中，在所述第二工序中利用蝕刻用液體組合物對配線基板進行處理時的、無電解銅的蝕刻速度ERN與電解銅的蝕刻速度ERE之比即ERN/ERE為2.1～50。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的配線基板的處理方法，其中，作為晶種層的無電解銅與作為配線圖案的電解銅的混合電位差為10～200mV。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的配線基板的處理方法，其中，所述(e)四唑類為選自1-甲基四唑、5-乙基-1-甲基四唑、1-乙基-5-甲基四唑、1,5-二乙基四唑、1-異丙基-5-甲基四唑以及1,5-二甲基四唑中的至少1種化合物。
8.一種配線基板的處理方法，其包括：
在半加成法中，使包含作為晶種層的無電解銅和作為配線圖案的電解銅的配線基板接觸包含(i)氯離子、(j)硫酸和(k)水的蝕刻前處理用液體組合物的第一工序；以及
接著，利用包含(l)過氧化氫、(m)硫酸、(n)四唑類、(p)氯離子、(q)銅離子和(r)水的蝕刻用液體組合物對已處理的配線基板進行蝕刻的第二工序。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的配線基板的處理方法，其中，在所述第一工序與所述第二工序之間不進行清洗和/或干燥工序。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的配線基板的處理方法，其中，所述蝕刻前處理用液體組合物中的(i)氯離子濃度為0.01～3ppm、(j)硫酸濃度為1～20質(zhì)量％。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的配線基板的處理方法，其中，所述(i)氯離子是由選自氯化鈉、氯化銨、氯化鉀和鹽酸中的至少1種化合物生成的氯離子。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的配線基板的處理方法，其中，在所述第二工序中利用蝕刻用液體組合物對配線基板進行處理時的、無電解銅的蝕刻速度ERN與電解銅的蝕刻速度ERE之比即ERN/ERE為2.1～50。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的配線基板的處理方法，其中，作為晶種層的無電解銅與作為配線圖案的電解銅的混合電位差為10～200mV。
14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的配線基板的處理方法，其中，所述(n)四唑類為選自1-甲基四唑、5-乙基-1-甲基四唑、1-乙基-5-甲基四唑、1,5-二乙基四唑、1-異丙基-5-甲基四唑以及1,5-二甲基四唑中的至少1種化合物。
15.一種配線基板，其是利用權(quán)利要求1～7中任一項所述的配線基板的處理方法而制造的。
16.一種配線基板，其是利用權(quán)利要求8～14中任一項所述的配線基板的處理方法而制造的。
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