[發(fā)明專利]射頻天線開關(guān)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410162731.6 | 申請(qǐng)日: | 2014-04-22 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103973291B | 公開(公告)日: | 2017-02-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 楊靜兒;池毓宋;樊錦涵 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 華為技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H03K17/10 | 分類號(hào): | H03K17/10;H03K17/14;H03K17/693 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11205 | 代理人: | 劉芳 |
| 地址: | 518129 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 射頻 天線 開關(guān) | ||
1.一種射頻天線開關(guān),其特征在于,包括:
天線端口,用于接收或發(fā)射射頻信號(hào);
射頻信號(hào)端口,用于從所述天線端口接收或向所述天線端口發(fā)送所述射頻信號(hào);以及
與所述天線端口或所述射頻信號(hào)端口連接的至少一個(gè)支路,所述至少一個(gè)支路中的每個(gè)支路包括多個(gè)晶體管,所述多個(gè)晶體管以堆疊方式連接,并在控制信號(hào)的作用下選擇性地將所述天線端口和所述射頻信號(hào)端口耦合或解耦合;
所述多個(gè)晶體管中預(yù)設(shè)數(shù)量的晶體管的溝道寬長比隨遠(yuǎn)離所述天線端口的方向依次遞減,所述預(yù)設(shè)數(shù)量小于或等于所述多個(gè)晶體管的總數(shù)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的開關(guān),其特征在于,所述預(yù)設(shè)數(shù)量小于所述多個(gè)晶體管的總數(shù)時(shí),所述多個(gè)晶體管中除所述預(yù)設(shè)數(shù)量的晶體管之外的其他至少一個(gè)晶體管與所述多個(gè)晶體管中距所述天線端口最遠(yuǎn)的晶體管具有相等的溝道寬長比。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的開關(guān),其特征在于,所述多個(gè)晶體管中的每個(gè)晶體管的柵極與各自對(duì)應(yīng)的柵極電阻連接,所述每個(gè)晶體管的體端與各自對(duì)應(yīng)的體電阻連接;
所述預(yù)設(shè)數(shù)量的晶體管各自對(duì)應(yīng)的所述柵極電阻的阻值和所述體電阻的阻值隨遠(yuǎn)離所述天線端口的方向依次遞減。
4.根據(jù)權(quán)利要求1~3中任一項(xiàng)所述的開關(guān),其特征在于,所述預(yù)設(shè)數(shù)量的晶體管的所述溝道寬長比的遞減幅度隨著至少一個(gè)支路的數(shù)量的增大而增大。
5.一種射頻天線開關(guān),其特征在于,包括:
天線端口,用于接收或發(fā)射射頻信號(hào);
射頻信號(hào)端口,用于從所述天線端口接收或向所述天線端口發(fā)送所述射頻信號(hào);以及
與所述天線端口或所述射頻信號(hào)端口連接的至少一個(gè)支路,所述至少一個(gè)支路中的每個(gè)支路包括多個(gè)晶體管,所述多個(gè)晶體管以堆疊方式連接,并在控制信號(hào)的作用下選擇性地將所述天線端口和所述射頻信號(hào)端口耦合或解耦合;
所述多個(gè)晶體管中預(yù)設(shè)數(shù)量的晶體管的上方分別覆蓋有不影響各晶體管電連接關(guān)系的金屬線,所述各金屬線的覆蓋面積隨遠(yuǎn)離所述天線端口的方向依次遞減,所述預(yù)設(shè)數(shù)量小于或等于所述多個(gè)晶體管的總數(shù)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的開關(guān),其特征在于,所述各金屬線覆蓋各自對(duì)應(yīng)的晶體管的柵極和以下電極中的至少一種:
源極、漏極。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的開關(guān),其特征在于,所述預(yù)設(shè)數(shù)量小于所述多個(gè)晶體管的總數(shù)時(shí),所述多個(gè)晶體管中除所述預(yù)設(shè)數(shù)量的晶體管之外的其他至少一個(gè)晶體管的上方與所述多個(gè)晶體管中距所述天線端口最遠(yuǎn)的晶體管具有覆蓋面積相等的金屬線,或者,所述多個(gè)晶體管中除所述預(yù)設(shè)數(shù)量的晶體管之外的其他至少一個(gè)晶體管的上方不覆蓋所述金屬線。
8.根據(jù)權(quán)利要求5~7中任一項(xiàng)所述的開關(guān),其特征在于,所述多個(gè)晶體管中的每個(gè)晶體管的柵極與各自對(duì)應(yīng)的柵極電阻連接,所述每個(gè)晶體管的體端與各自對(duì)應(yīng)的體電阻連接;
所述預(yù)設(shè)數(shù)量的晶體管各自對(duì)應(yīng)的所述柵極電阻的阻值和所述體電阻的阻值隨遠(yuǎn)離所述天線端口的方向依次遞減。
9.根據(jù)權(quán)利要求5~8中任一項(xiàng)所述的開關(guān),其特征在于,所述各金屬線的覆蓋面積的遞減幅度隨著至少一個(gè)支路的數(shù)量的增大而增大。
10.一種射頻天線開關(guān),其特征在于,包括:
天線端口,用于接收或發(fā)射射頻信號(hào);
射頻信號(hào)端口,用于從所述天線端口接收或向所述天線端口發(fā)送所述射頻信號(hào);以及
與所述天線端口或所述射頻信號(hào)端口連接的至少一個(gè)支路,所述至少一個(gè)支路中的每個(gè)支路包括多個(gè)晶體管,所述多個(gè)晶體管以堆疊方式連接,并在控制信號(hào)的作用下選擇性地將所述天線端口和所述射頻信號(hào)端口耦合或解耦合;
所述多個(gè)晶體管中的每個(gè)晶體管具有多叉指結(jié)構(gòu),包括用作源極的至少一個(gè)第一叉指和用作漏極的至少一個(gè)第二叉指,各第一叉指連接至源極公共點(diǎn),各第二叉指連接至漏極公共點(diǎn);
所述各第一叉指通過多個(gè)第一通孔連接到各自對(duì)應(yīng)的源極,所述各第二叉指通過多個(gè)第二通孔連接到各自對(duì)應(yīng)的漏極;
所述多個(gè)晶體管中預(yù)設(shè)數(shù)量的晶體管的所述第一通孔的數(shù)量和所述第二通孔的數(shù)量隨遠(yuǎn)離所述天線端口的方向依次遞減,所述預(yù)設(shè)數(shù)量小于或等于所述多個(gè)晶體管的總數(shù)。
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