[發明專利]一種基于微機電系統技術的硅電容真空傳感器在審
| 申請號： | 201410162059.0 | 申請日： | 2014-04-22 |
| 公開（公告）號： | CN103994854A | 公開（公告）日： | 2014-08-20 |
| 發明（設計）人： | 吳亞明;劉京;孫艷美;姚朝輝;徐永康 | 申請（專利權）人： | 江蘇森博傳感技術有限公司 |
| 主分類號： | G01L21/00 | 分類號： | G01L21/00 |
| 代理公司： | 宜興市天宇知識產權事務所(普通合伙) 32208 | 代理人： | 李妙英 |
| 地址： | 214203 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 微機 系統 技術 電容 真空 傳感器 | ||
1.一種基于微機電系統技術的硅電容真空傳感器，包括上極板、下極板、中間絕緣層、真空腔以及上下極板上的電引線焊盤，其特征在于真空腔是上極板與中間絕緣層間、或者上極板、中間絕緣層與下極板間形成的密封腔，真空腔內設計有絕緣支撐柱陣列，所述絕緣支撐柱的頂端面與上極板間留有空隙。
2.根據權利要求1所述的一種基于微機電系統技術的硅電容真空傳感器，其特征在于上極板為硅敏感薄膜,所述硅敏感薄膜的厚度為0.5-20um。
3.根據權利要求1所述的一種基于微機電系統技術的硅電容真空傳感器，其特征在于中間絕緣層為與硅氣密性鍵合的絕緣材料。
4.根據權利要求3所述的一種基于微機電系統技術的硅電容真空傳感器，其特征在于中間絕緣層為二氧化硅或者二氧化硅層與氮化硅層的復合。
5.根據權利要求3所述的一種基于微機電系統技術的硅電容真空傳感器，其特征在于中間絕緣層的厚度為0.5-5um。
6.根據權利要求1所述的一種基于微機電系統技術的硅電容真空傳感器，其特征在于絕緣支撐柱陣列里的各絕緣支撐柱呈均勻分布或非均勻分布。
7.根據權利要求6所述的一種基于微機電系統技術的硅電容真空傳感器，其特征在于絕緣支撐柱橫截面的形狀和大小尺寸相同或者不同。
8.根據權利要求7所述的一種基于微機電系統技術的硅電容真空傳感器，其特征在于絕緣支撐柱的橫截面積為1um2-1mm2。
9.根據權利要求6所述的一種基于微機電系統技術的硅電容真空傳感器，其特征在于絕緣支撐柱之間的間距相同或不同。
10.根據權利要求9所述的一種基于微機電系統技術的硅電容真空傳感器，其特征在于絕緣支撐柱之間的間距為0-800微米。
11.權利要求1-10所述的一種基于微機電系統技術的硅電容真空傳感器，與同一結構的參考電容同時置于同一硅芯片上，形成一對差分電容，所述參考電容的空腔連通外界待測環境。
12.權利要求1-10所述的一種基于微機電系統技術的硅電容真空傳感器，真空度檢測范圍相互銜接的多只硅電容真空傳感器同時設計在同一硅芯片上，形成超大量程硅電容真空傳感器。
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