[發明專利]一種HIT太陽能電池及其制備方法

有效

• 申請號: 201410161505.6
• 申請日: 2014-04-22
• 公開（公告）號: CN103904151A
• 公開（公告）日: 2014-07-02
• 發明（設計）人: 陳貴鋒;王弘;張輝;曹哲;張浩恩;張嬌;賈少鵬;羅鴻志
• 申請（專利權）人: 河北工業大學
• 主分類號: H01L31/0747
• 分類號: H01L31/0747;H01L31/20
• 代理公司: 天津翰林知識產權代理事務所(普通合伙) 12210
• 代理人: 趙鳳英

1.一種HIT太陽能電池，其特征為該電池的組成包括P型多晶硅襯底（P?p-Si），在P型多晶硅襯底正面依次沉積的第一本征氫化非晶硅層（i?a-Si:H）、N型氫化非晶硅層（N?a-Si:H）和第一透明導電薄膜層，透明導電薄膜層上面為正面電極；在P型多晶硅襯底背面依次沉積的本征氫化非晶硅層（i?a-Si:H）、P型氫化非晶硅層（P?a-Si:H）和第二透明導電薄膜層，第二透明導電薄膜層下面為背面電極；

所述的正面電極為鋁柵電極；所述的背面電極為鋁柵電極。

2.如權利要求1所述的HIT太陽能電池，其特征為所述的P型多晶硅襯底（P?p-Si）的厚度為100～130um；第一本征氫化非晶硅層（i?a-Si:H）的厚度為5～20nm；N型氫化非晶硅層（N?a-Si:H）的厚度為50～150nm，第二本征氫化非晶硅層（i?a-Si:H）的厚度為5～20nm；P型氫化非晶硅層（P?a-Si:H）的厚度為5～20nm；第一、第二透明導電薄膜層的厚度為50～100nm，所述的鋁柵電極，膜厚15～20μm，柵線間距3mm、寬度0.10～0.12mm。

3.如權利要求1所述的HIT太陽能電池，其特征為所述的P型多晶硅襯底，其厚度為100～130um，電阻率為1～5Ω·cm，少子壽命1～100us。

4.如權利要求1所述的HIT太陽能電池的制備方法，其特征為該方法包括如下步驟：

1)清洗工藝

利用標準的RCA清洗工藝處理P型多晶硅襯底，去除P型多晶硅襯底表面的顆粒物、有機物以及金屬雜質；

2)鋁吸雜工藝

首先在經過清洗的P型多晶硅襯底任一面上蒸鍍厚度為1～2μm的鋁層，蒸鋁面即為硅片的正面；然后對硅片進行退火處理，在氬氣的氣氛中由室溫升高到700℃～800℃，保溫1-3小時，然后退火降溫到室溫，升溫速度與降溫速度均為5-15℃/min；再將P型多晶硅襯底用質量分數為10%的NaOH溶液浸泡處理10～30分鐘，腐蝕掉表面的鋁層以及合金層；

3)PECVD工藝

采用平板式PECVD方法在P型多晶硅襯底正面依次沉積厚度為5～20nm的本征氫化非晶硅層（i?a-Si:H）及厚度為50～150nm的N型氫化非晶硅層（N?a-Si:H），然后再在P型多晶硅襯底背面依次沉積厚度為5～20nm的本征氫化非晶硅層（i?a-Si:H）及厚度為5～20nm的P型氫化非晶硅層（P?a-Si:H），得到多層結構；

4)磁控濺射工藝

采用磁控濺射方法在步驟3）得到的多層結構的兩面分別沉積厚度為50～100nm的透明導電薄膜層；

5)絲網印刷工藝

采用絲網印刷技術在步驟4）得到的多層結構的兩面分別印刷鋁漿，膜厚在15～20μm，然后采用低溫燒結制成電極，燒結溫度為200℃～300℃，時間為2～4小時，形成鋁柵電極，從而最終得到HIT太陽能電池。