[發(fā)明專利]開關電源及其控制器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410161303.1
• 申請日: 2014-04-18
• 公開（公告）號: CN103887961A
• 公開（公告）日: 2014-06-25
• 發(fā)明（設計）人: 林海鋒;張邵華;湯仙明;姚豐;高陽;王棟;詹樺;嚴先蔚;吳建興
• 申請（專利權(quán)）人: 杭州士蘭微電子股份有限公司
• 主分類號: H02M1/36
• 分類號: H02M1/36
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 張振軍

1.一種開關電源控制器，其特征在于，包括：

開關電源控制裝置，具有電源供電端并對該電源供電端的電壓進行檢測；

復合器件，與所述開關電源控制裝置相連，該復合器件具有第一輸入端、輸入信號端、第二輸入端、第一輸出端和第二輸出端，該復合器件中集成有功率管和耗盡管，其中，

所述功率管的柵端連接所述第一輸入端，所述功率管的源端連接所述第一輸出端，所述功率管的漏端連接所述輸入信號端；

所述耗盡管的柵端連接所述第二輸入端，其源端連接所述第二輸出端，其漏端連接所述輸入信號端；

所述第一輸入端、第二輸入端和第二輸出端連接所述開關電源控制裝置，所述第一輸入端接收所述開關電源控制裝置產(chǎn)生的驅(qū)動信號，所述輸入信號端接收所述開關電源的輸入信號；

當所述電源供電端的電壓小于預設的關斷點電壓時，所述開關電源控制裝置控制所述復合器件中的耗盡管向所述電源供電端提供啟動電流；當所述電源供電端的電壓上升至大于預設的開啟點電壓時，所述驅(qū)動信號控制所述復合器件中的功率管向所述開關電源的主電路提供功率輸出電流，并且控制所述復合器件中的耗盡管關斷所述啟動電流。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的開關電源控制器，其特征在于，該復合器件包括：

第一摻雜類型的外延區(qū)，該外延區(qū)作為所述功率管和耗盡管的漏端；

并列形成在所述外延區(qū)正面的功率管阱區(qū)和耗盡管阱區(qū)，所述功率管阱區(qū)和耗盡管阱區(qū)具有第二摻雜類型，該第二摻雜類型與第一摻雜類型相反；

第一摻雜類型的功率管摻雜區(qū)，形成于所述功率管阱區(qū)中，該功率管摻雜區(qū)作為所述功率管的源端；

功率管的柵端，形成于所述外延區(qū)的正面，該功率管的柵端覆蓋所述功率管摻雜區(qū)的至少一部分并延伸至所述功率管阱區(qū)以外的外延區(qū)上；

第一摻雜類型的耗盡管摻雜區(qū)，形成于所述耗盡管阱區(qū)內(nèi)，該耗盡管摻雜區(qū)作為所述耗盡管的源端；

第一摻雜類型的耗盡管溝道區(qū)，位于所述耗盡管阱區(qū)內(nèi)，并且該耗盡管溝道區(qū)從所述耗盡管阱區(qū)的邊界延伸至所述耗盡管摻雜區(qū)的邊界；

耗盡管的柵端，形成于所述外延層的正面，該耗盡管的柵端覆蓋所述耗盡管溝道區(qū)并延伸至所述耗盡管阱區(qū)以外的外延區(qū)上；

其中，所述外延區(qū)與第一電極短路，該第一電極形成于所述外延區(qū)的背面；所述功率管阱區(qū)和功率管摻雜區(qū)經(jīng)由第二電極短路，所述耗盡管阱區(qū)和耗盡管摻雜區(qū)經(jīng)由第三電極短路，該第二電極和第三電極形成于所述外延區(qū)的正面。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的開關電源控制器，其特征在于，該復合器件還包括用于隔離所述功率管和耗盡管的隔離結(jié)構(gòu)，該隔離結(jié)構(gòu)包括：

第二摻雜類型的浮空阱區(qū)，與所述功率管阱區(qū)和耗盡管阱區(qū)并列形成于所述外延區(qū)的正面，并且所述浮空阱區(qū)位于所述功率管阱區(qū)和耗盡管阱區(qū)之間；

形成于所述外延區(qū)正面的第一柵，該第一柵覆蓋所述浮空阱區(qū)的至少一部分和所述功率管阱區(qū)的至少一部分，該第一柵還覆蓋所述浮空阱區(qū)和功率管阱區(qū)之間的外延區(qū)；

形成于所述外延區(qū)正面的第二柵，該第二柵覆蓋所述浮空阱區(qū)的至少一部分和所述耗盡管阱區(qū)的至少一部分，該第二柵還覆蓋所述浮空阱區(qū)和耗盡管阱區(qū)之間的外延區(qū)；

其中，所述第一柵和所述功率管阱區(qū)短路，所述第二柵和所述耗盡管阱區(qū)短路。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的開關電源控制器，其特征在于，所述第一柵和所述第一阱區(qū)經(jīng)由所述第二電極短路，所述第二柵和所述第二阱區(qū)經(jīng)由所述第三電極短路。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的開關電源控制器，其特征在于，該復合器件還包括用于隔離所述功率管和耗盡管的隔離結(jié)構(gòu)，該隔離結(jié)構(gòu)包括：

第二摻雜類型的浮空阱區(qū)，與所述功率管阱區(qū)和耗盡管阱區(qū)并列形成于所述外延區(qū)的正面，并且所述浮空阱區(qū)位于所述功率管阱區(qū)和耗盡管阱區(qū)之間；

介質(zhì)層，形成于所述外延層的正面，該介質(zhì)層覆蓋所述浮空阱區(qū)并延伸至所述浮空阱區(qū)以外的外延層上。