[發明專利]一種深阱退火方法在審
| 申請號： | 201410161259.4 | 申請日： | 2014-04-22 |
| 公開（公告）號： | CN103903981A | 公開（公告）日： | 2014-07-02 |
| 發明（設計）人： | 溫振平 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/324 | 分類號： | H01L21/324 |
| 代理公司： | 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吳世華;林彥之 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 退火 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種深阱退火方法，包括向工藝腔中通入反應氣體和加熱硅襯底，其特征在于，所述反應氣體由氧氣和惰性氣體組成，其中，所述氧氣與所述惰性氣體的比例不大于20%。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧氣與所述惰性氣體的比例不大于13%。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧氣的流量為1-2.6SLM。
4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述惰性氣體為純氮氣。
5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述惰性氣體為氮氣和氬氣的混合氣體。
6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所采用的升溫速率為75-220℃/sec。
7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所采用的反應溫度為1000-1200℃。
8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所采用的反應時間為5-60sec。
9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述工藝腔為快速熱退火工藝腔或爐管退火工藝腔。
10.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，采用所述快速熱退火工藝腔進行所述深阱退火方法包括：采用脈沖激光快速退火、離子束快速退火、連續波激光快速退火或非相干寬帶光源快速退火。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
