[發(fā)明專利]一種監(jiān)控離子注入機(jī)穩(wěn)定性和均勻性的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410161246.7
• 申請(qǐng)日: 2014-04-22
• 公開（公告）號(hào): CN103904009A
• 公開（公告）日: 2014-07-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張立;宋皓;賴朝榮;蘇俊銘;張旭昇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/67
• 分類號(hào): H01L21/67;H01L21/265
• 代理公司: 上海天辰知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 31275
• 代理人: 吳世華;林彥之

1.一種監(jiān)控離子注入機(jī)穩(wěn)定性和均勻性的方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟一：在待測(cè)樣本晶圓襯底上進(jìn)行鍺離子注入，以在所述晶圓表面形成鍺非晶化阻擋層；

步驟二：將步驟一中得到的具有鍺非晶化阻擋層的晶圓放入需要監(jiān)控的離子注入機(jī)，進(jìn)行常規(guī)的離子注入工藝，利用所述晶圓形成的鍺非晶化阻擋層，降低離子的注入深度；

步驟三：對(duì)步驟二中注入完成的晶圓進(jìn)行高溫退火，以在所述晶圓表面形成摻雜的硅鍺合金；

步驟四：對(duì)步驟三中得到的形成摻雜的硅鍺合金的所述晶圓，利用其具有的良好導(dǎo)電性能，采用四探針測(cè)試儀量測(cè)所述晶圓注入層的方塊電阻；

步驟五：根據(jù)方塊電阻的量測(cè)值結(jié)果，對(duì)離子注入機(jī)的穩(wěn)定性和均勻性進(jìn)行判斷，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)需要監(jiān)控的離子注入機(jī)的監(jiān)控管理。

2.如權(quán)利要求1所述的監(jiān)控離子注入機(jī)穩(wěn)定性和均勻性的方法，其特征在于，步驟一中，采用與需要監(jiān)控的離子注入機(jī)同型的離子注入標(biāo)準(zhǔn)機(jī)臺(tái)進(jìn)行鍺離子注入。

3.如權(quán)利要求1所述的監(jiān)控離子注入機(jī)穩(wěn)定性和均勻性的方法，其特征在于，步驟一中，所述鍺離子注入采用常規(guī)的鍺離子注入工藝。

4.如權(quán)利要求1、2或3所述的監(jiān)控離子注入機(jī)穩(wěn)定性和均勻性的方法，其特征在于，步驟一中，所述鍺離子注入時(shí)的能量為10～50keV。

5.如權(quán)利要求1、2或3所述的監(jiān)控離子注入機(jī)穩(wěn)定性和均勻性的方法，其特征在于，步驟一中，所述鍺離子注入時(shí)的劑量為1E15～5E15atom/cm²。

6.如權(quán)利要求1所述的監(jiān)控離子注入機(jī)穩(wěn)定性和均勻性的方法，其特征在于，步驟一中，所述晶圓表面形成的鍺非晶化阻擋層的厚度為20nm～200nm。

7.如權(quán)利要求1所述的監(jiān)控離子注入機(jī)穩(wěn)定性和均勻性的方法，其特征在于，步驟三中，對(duì)步驟二中注入完成的晶圓采用快速熱處理工藝進(jìn)行高溫退火。

8.如權(quán)利要求7所述的監(jiān)控離子注入機(jī)穩(wěn)定性和均勻性的方法，其特征在于，所述快速熱處理工藝的溫度為950～1100℃。

9.如權(quán)利要求7所述的監(jiān)控離子注入機(jī)穩(wěn)定性和均勻性的方法，其特征在于，所述快速熱處理工藝的時(shí)間為20～40s。

10.如權(quán)利要求7所述的監(jiān)控離子注入機(jī)穩(wěn)定性和均勻性的方法，其特征在于，所述快速熱處理工藝采用N₂作為保護(hù)氣體。