[發明專利]可撓式光感應薄膜、信息提取系統與信息提取方法

有效

• 申請號: 201410160942.6
• 申請日: 2014-04-21
• 公開（公告）號: CN104951148B
• 公開（公告）日: 2017-11-10
• 發明（設計）人: 倪士杰
• 申請（專利權）人: 緯創資通股份有限公司
• 主分類號: G06F3/042
• 分類號: G06F3/042
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司72003
• 代理人: 李昕巍,呂俊清

1.一種信息提取系統，包含有一可撓式光感應薄膜以及一感應面板裝置；

該可撓式光感應薄膜包含有：

一薄膜；以及

多個光感應單元，設置在該薄膜上，用來轉換光源為電能，且將電能儲存形成電場；

該感應面板裝置，用來感應該可撓式光感應薄膜上未被一光阻絕材質遮蔽光源的光感應單元所形成的電場，產生一電場分布情形，以根據該電場分布情形提取出該光阻絕材質形成在該可撓式光感應薄膜上的一信息。

2.如權利要求1所述的信息提取系統，其中該多個光感應單元中每一光感應單元包含有：

一光感應層，用來將光源轉換為電能，并經由一第一電位極與一第二電位極輸出電能；

一電場層，包含有耦接于該第一電位極的一第一導電層與耦接于該第二電位極的一第二導電層，用來儲存該第一電位極與該第二電位極所輸出的電能，在該第一導電層與該第二導電層間形成電場；以及

一絕緣層，用來隔離該光感應層與該電場層。

3.如權利要求2所述的信息提取系統，其中該光感應層為具有非晶硅或多晶硅的半導體材質，以轉換光源為電能。

4.如權利要求2所述的信息提取系統，其中該第一導電層與該第二導電層是由一透明導電材料所形成，該透明導電材料包含有選自鈦、鋅、鋯、銻、銦、錫、鋁、及硅所構成的金屬氧化物群組中的其中之一。

5.如權利要求4所述的信息提取系統，其中該透明導電材料包含有氧化銦錫(ITO)、氧化銻錫(ATO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋁鋅(AZO)、氧化鋅鎵(GZO)、氧化銦鎂(MIO)。

6.如權利要求1所述的信息提取系統，其中該多個光感應單元另包含有：

多個辨識單元，預先被一材質遮蔽住光源，而無法接收到光源來轉換形成電場。

7.如權利要求6所述的信息提取系統，其中該感應面板裝置感應該可撓式光感應薄膜，獲得不具有電場的該多個辨識單元的位置信息，作為用來啟動提取該信息的一辨識信息。

8.如權利要求1所述的信息提取系統，其中該感應面板裝置具有一電容式感應面板，該電容式感應面板感測該可撓式光感應薄膜上電場所造成的電容變化，產生該電場分布情形。

9.如權利要求1所述的信息提取系統，其中該感應面板裝置分析該電場分布情形，獲得未被該光阻絕材質遮蔽光源的光感應單元在該可撓式光感應薄膜上的位置信息，以分析出該光阻絕材質形成在該可撓式光感應薄膜上的該信息。

10.如權利要求1所述的信息提取系統，其中一使用者通過一輸入設備將該光阻絕材質形成在該可撓式光感應薄膜上，以記載該信息。

11.一種可撓式光感應薄膜，用于一信息提取系統中，該可撓式光感應薄膜包含有：

一薄膜；以及

多個光感應單元，設置在該薄膜上，用來轉換光源為電能，且將電能儲存形成電場；

其中，該信息提取系統中一感應面板裝置感應該可撓式光感應薄膜上光感應單元所形成的電場，產生一電場分布情形，以根據該電場分布情形提取出該可撓式光感應薄膜上的一信息。

12.如權利要求11所述的可撓式光感應薄膜，其中該感應面板裝置，是感應該可撓式光感應薄膜上未被一光阻絕材質遮蔽光源的光感應單元所形成的電場，產生該電場分布情形，以根據該電場分布情形提取出該光阻絕材質形成在該可撓式光感應薄膜上的該信息。

13.如權利要求12所述的可撓式光感應薄膜，其中該多個光感應單元中每一光感應單元包含有：

一光感應層，用來將光源轉換為電能，并經由一第一電位極與一第二電位極輸出電能；

一電場層，包含有耦接于該第一電位極的一第一導電層與耦接于該第二電位極的一第二導電層，用來儲存該第一電位極與該第二電位極所輸出的電能，在該第一導電層與該第二導電層間形成電場；以及

一絕緣層，用來隔離該光感應層與該電場層。

14.如權利要求13所述的可撓式光感應薄膜，其中該光感應層為具有非晶硅或多晶硅的半導體材質，以轉換光源為電能。

15.如權利要求13所述的可撓式光感應薄膜，其中該第一導電層與該第二導電層是由一透明導電材料所形成，該透明導電材料包含有選自鈦、鋅、鋯、銻、銦、錫、鋁、及硅所構成的金屬氧化物群組中的其中之一。