[發明專利]一種MEMS器件及其制備方法、電子裝置

在審

• 申請號: 201410160674.8
• 申請日: 2014-04-21
• 公開（公告）號: CN105084294A
• 公開（公告）日: 2015-11-25
• 發明（設計）人: 江盧山;陳曉軍;劉煊杰;郭亮良;馬軍德
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: B81B7/02
• 分類號: B81B7/02;B81C1/00
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 高偉;馮永貞

1.一種MEMS器件的制備方法，包括：

提供基底，在所述基底上形成有凸起的環狀接合部件，所述環狀接合部件的內側形成用于容納MEMS器件的第一凹槽，所述環狀接合部件的外側形成第一溝槽；

在所述基底上形成圖案化的掩膜層，以覆蓋所述環狀接合部件和所述第一凹槽，并露出部分所述第一溝槽；

以所述掩膜層為掩膜，蝕刻去除部分露出的所述基底，以形成深度大于所述第一溝槽的第二溝槽；

去除所述掩膜層；

將所述基底和形成有MEMS器件的MEMS襯底接合；

背部研磨所述基底至所述第二溝槽的深度以上、所述第一溝槽的深度以下，以形成MEMS覆蓋層。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述環狀接合部件的形成方法為：

提供表面形成有氧化物層的基底并圖案化，以在所述基底上形成環狀的接合部件本體；

在所述接合部件本體上形成接合材料層，以形成所述環狀接合部件。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述接合材料層選用Ge材料層。

4.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述氧化物層的厚度為1-3KA；

所述接合材料層的厚度為4-6KA。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述環狀接合部件兩側的所述基底表面上還形成有金屬層。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述金屬層選用金屬Ti。

7.根據權利要求5或6所述的方法，其特征在于，所述金屬層的厚度為2-4KA。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，選用深反應離子刻蝕的方法蝕刻去除部分露出的所述基底。

9.一種MEMS器件，其采用權利要求1至8之一所述方法制備。

10.一種電子裝置，其包括權利要求9所述的MEMS器件。