[發明專利]腔室組件有效
| 申請號： | 201410160410.2 | 申請日： | 2014-04-21 |
| 公開（公告）號： | CN105097602B | 公開（公告）日： | 2018-09-28 |
| 發明（設計）人： | 謝秋實 | 申請（專利權）人： | 北京北方華創微電子裝備有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67;B81C1/00 |
| 代理公司： | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人： | 李芙蓉 |
| 地址： | 100176 北京*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 組件 | ||
1.一種腔室組件，包括平面線圈、反應腔室和進氣組件，所述平面線圈位于所述反應腔室頂部蓋板處；所述進氣組件與所述反應腔室相連，用于向所述反應腔室內充入氣體，其特征在于：
所述進氣組件中氣體通入反應腔室的初速度方向與所述平面線圈產生的電場方向相交，
所述腔室組件還包括離子過濾組件，所述離子過濾組件一端與所述反應腔室內壁相連，位于所述進氣組件的進氣口下沿與晶圓之間；
所述離子過濾組件另一端懸空設置，且設置有開口，所述開口直徑大于等于所述晶圓直徑，且小于所述反應腔室直徑。
2.根據權利要求1所述的腔室組件，其特征在于：
所述進氣組件中氣體通入反應腔室的初速度方向與所述平面線圈產生的電場方向垂直。
3.根據權利要求1所述的腔室組件，其特征在于：
所述進氣組件包括一個或多個進氣管，且與所述反應腔室內壁連接；
所述多個進氣管的規格完全相同，且均勻分布在所述反應腔室內壁。
4.根據權利要求1所述的腔室組件，其特征在于：
所述進氣組件的進氣口位于所述反應腔室中軸線位置或所述反應腔室內壁邊沿位置。
5.根據權利要求4所述的腔室組件，其特征在于：
所述進氣組件與所述反應腔室頂部蓋板的距離為5mm—20mm。
6.根據權利要求1所述的腔室組件，其特征在于：
所述開口直徑大于所述晶圓直徑20mm—40mm。
7.根據權利要求1所述的腔室組件，其特征在于：
所述離子過濾組件位于所述進氣組件的進氣口下沿與所述晶圓的中間位置。
8.根據權利要求1所述的腔室組件，其特征在于：
所述離子過濾組件為平行擋板狀，圓筒狀或漏斗狀。
9.根據權利要求1所述的腔室組件，其特征在于：
所述離子過濾組件的材料為導電材料。
10.根據權利要求9所述的腔室組件，其特征在于：
所述導電材料為鋁材料。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
