[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置和電子設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410160192.2
• 申請日: 2014-04-21
• 公開（公告）號: CN104167416B
• 公開（公告）日: 2019-05-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 深作克彥
• 申請（專利權(quán)）人: 索尼半導(dǎo)體解決方案公司
• 主分類號: H01L27/04
• 分類號: H01L27/04;H01L23/60
• 代理公司: 北京信慧永光知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11290
• 代理人: 陳桂香;褚海英

1.一種半導(dǎo)體裝置，其包括：

基板；

晶體管，所述晶體管被構(gòu)造成基于觸發(fā)信號而使第一端子與第二端子之間電導(dǎo)通，且包括位于所述基板的表面中的源極和漏極以及設(shè)置于所述源極和所述漏極之間的半導(dǎo)體區(qū)；以及

觸發(fā)器件，所述觸發(fā)器件被形成于形成有所述晶體管的晶體管區(qū)域中，并且設(shè)置于所述基板的處于所述晶體管的所述漏極和所述半導(dǎo)體區(qū)之間的表面上，并且被構(gòu)造用來基于施加至所述第一端子的電壓而生成所述觸發(fā)信號。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述觸發(fā)器件包括第一絕緣層和電阻層，所述第一絕緣層被設(shè)置于所述晶體管區(qū)域中的一部分的表面上，所述電阻層被設(shè)置于所述第一絕緣層上。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述觸發(fā)器件包括被形成于所述電阻層上的阻擋層。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述晶體管包括：

第一導(dǎo)電類型的第一半導(dǎo)體層，所述基板包括所述第一半導(dǎo)體層；

第二導(dǎo)電類型的第二半導(dǎo)體層，所述第二半導(dǎo)體層被連接至所述第一端子，并且所述第二半導(dǎo)體層被選擇性地設(shè)置于所述第一半導(dǎo)體層內(nèi)且靠近所述第一半導(dǎo)體層的表面，所述晶體管的所述漏極包括所述第二半導(dǎo)體層；

所述第二導(dǎo)電類型的第三半導(dǎo)體層，所述第三半導(dǎo)體層被連接至所述第二端子，并且所述第三半導(dǎo)體層以與所述第二半導(dǎo)體層間隔開的方式、被選擇性地設(shè)置于所述第一半導(dǎo)體層內(nèi)且靠近所述第一半導(dǎo)體層的所述表面；

所述第二導(dǎo)電類型的第四半導(dǎo)體層，所述第四半導(dǎo)體層在所述第二半導(dǎo)體層與所述第三半導(dǎo)體層之間被設(shè)置于所述第一半導(dǎo)體層內(nèi)且靠近所述第一半導(dǎo)體層的所述表面，所述晶體管的所述半導(dǎo)體區(qū)包括所述第四半導(dǎo)體層；

第二絕緣層，其被設(shè)置于所述第一半導(dǎo)體層的處于所述第三半導(dǎo)體層與所述第四半導(dǎo)體層之間的所述表面上；以及

導(dǎo)電層，其被設(shè)置于所述第二絕緣層上，與所述觸發(fā)信號對應(yīng)的信號被提供給所述導(dǎo)電層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述觸發(fā)器件沿與所述第二半導(dǎo)體層、所述第三半導(dǎo)體層和所述第四半導(dǎo)體層的排列方向相交的方向延伸，且所述觸發(fā)器件的第一端和第二端分別被引至所述第一端子和所述導(dǎo)電層。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其還包括反相器，所述反相器包括輸入端和輸出端，所述輸入端被引至所述觸發(fā)器件的所述第二端，所述輸出端被連接至所述導(dǎo)電層，

其中所述第一導(dǎo)電類型是P型，并且

所述第二導(dǎo)電類型是N型。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，其中

所述電阻層是多晶硅層，并且

所述導(dǎo)電層是經(jīng)過硅化的多晶硅層。

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述觸發(fā)器件是分布參數(shù)器件，所述分布參數(shù)器件包括所述電阻層的電阻成分和所述第一絕緣層的電容成分。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項所述的半導(dǎo)體裝置，其中

所述晶體管由預(yù)定數(shù)量的晶體管元件構(gòu)成，并且

所述觸發(fā)器件由所述預(yù)定數(shù)量的觸發(fā)元件構(gòu)成。

10.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項所述的半導(dǎo)體裝置，其中

所述晶體管由預(yù)定數(shù)量的晶體管元件構(gòu)成，并且

所述觸發(fā)器件由比所述預(yù)定數(shù)量少的數(shù)量的觸發(fā)元件構(gòu)成。

11.一種電子設(shè)備，其包括：

權(quán)利要求1至10中任一項所述的半導(dǎo)體裝置；以及

內(nèi)部電路，所述內(nèi)部電路被連接至所述第一端子和所述第二端子。