[發(fā)明專利]晶片的加工方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410160176.3
• 申請日: 2014-04-21
• 公開（公告）號: CN104124208B
• 公開（公告）日: 2018-06-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 遠(yuǎn)藤智裕
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;B23K26/53;H01L33/00;B23K26/40;B23K26/00
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;黃綸偉

本發(fā)明提供晶片的加工方法，能夠?qū)⒕指顬楦鱾€光器件而不會降低光器件的品質(zhì)。該晶片的加工方法包括：改性層形成工序，以使聚光點(diǎn)位于內(nèi)部的方式，從基板的背面?zhèn)日丈浼す夤饩€，在基板的內(nèi)部形成改性層；以及晶片分割工序，沿著形成有改性層的分割預(yù)定線折斷晶片，在該改性層形成工序中，使激光光線的線偏振光的偏振面定位在垂直于分割預(yù)定線的方向上，相對于聚光器的聚光鏡頭的光軸，使激光光線的光束中心在與分割預(yù)定線垂直的方向上偏移，使激光光線的聚光點(diǎn)位置向與光束中心的偏移方向相同的方向偏移，以無助于形成改性層的光成為漏出光且使向發(fā)光層側(cè)漏出的光的強(qiáng)度在分割預(yù)定線的區(qū)域中增強(qiáng)、在光器件的區(qū)域中減弱的方式進(jìn)行調(diào)整。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及沿著對器件進(jìn)行劃分的多個分割預(yù)定線對在表面形成有多個該器件的晶片進(jìn)行分割的晶片的加工方法。

背景技術(shù)

如本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知，在半導(dǎo)體器件制造工藝中，在硅等基板的正面形成半導(dǎo)體晶片，該半導(dǎo)體晶片通過層疊有絕緣膜和功能膜的功能層而以矩陣狀形成了多個IC、LSI等器件。在這樣形成的半導(dǎo)體晶片中，上述器件通過分割預(yù)定線而被劃分，通過沿著該分割預(yù)定線進(jìn)行分割，從而制造各個半導(dǎo)體器件。

另外，在光器件制造工藝中，在藍(lán)寶石基板或碳化硅基板的正面層疊有由n型氮化物半導(dǎo)體層和p型氮化物半導(dǎo)體層構(gòu)成的光器件層，在通過形成為格子狀的多個分割預(yù)定線劃分而成的多個區(qū)域中形成發(fā)光二極管、激光二極管等光器件，從而構(gòu)成光器件晶片。然后，沿著分割預(yù)定線折斷光器件晶片，從而對形成有光器件的區(qū)域進(jìn)行分割，制造各個光器件。作為對上述半導(dǎo)體晶片或光器件晶片等晶片進(jìn)行分割的方法，還嘗試了如下的激光加工方法：使用對于晶片具有透射性的波長的脈沖激光光線，使聚光點(diǎn)對準(zhǔn)到應(yīng)進(jìn)行分割的區(qū)域的內(nèi)部來照射脈沖激光光線。使用了該激光加工方法的分割方法是如下技術(shù)：以使聚光點(diǎn)對準(zhǔn)到內(nèi)部的方式從晶片的一個面?zhèn)日丈鋵τ诰哂型干湫缘牟ㄩL的脈沖激光光線，在晶片的內(nèi)部沿著分割預(yù)定線連續(xù)形成改性層，沿著由于形成該改性層而使強(qiáng)度降低的分割預(yù)定線施加外力，從而對晶片進(jìn)行分割（例如，參照專利文獻(xiàn)1）。

在晶片的內(nèi)部形成改性層的激光加工方法中，由于使用對于晶片具有透射性的波長的激光光線，因此在晶片由硅形成的情況下，使用波長為1064nm的激光光線，在晶片由藍(lán)寶石形成的情況下，使用波長為1064nm或532nm的激光光線。

另外，當(dāng)在晶片的內(nèi)部沿著分割預(yù)定線形成改性層的情況下，可知當(dāng)使激光光線的線偏振光的偏振面定位在對于分割預(yù)定線垂直的方向上并照射激光光線時，能夠形成良好的改性層。因此，從在藍(lán)寶石基板的正面層疊有發(fā)光層并在通過形成為格子狀的多個分割預(yù)定線劃分而成的多個區(qū)域中形成有光器件的光器件晶片的背面?zhèn)龋允辜す夤饩€的聚光點(diǎn)定位于內(nèi)部的方式沿著分割預(yù)定線照射激光光線，由此能夠在光器件晶片的內(nèi)部沿著分割預(yù)定線形成良好的改性層。

專利文獻(xiàn)1：日本特許第3408805號公報

而且，在上述的在晶片的內(nèi)部沿著分割預(yù)定線形成改性層的方法中，無助于形成改性層的激光光線在發(fā)光層側(cè)成為漏出光，漏出到分割預(yù)定線的兩側(cè)，因此存在在發(fā)光層產(chǎn)生損傷而使光器件的品質(zhì)降低的問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明是鑒于上述情況而完成的，其主要技術(shù)課題在于，提供能夠?qū)⒕指顬楦鱾€光器件而不會降低光器件的品質(zhì)的晶片的加工方法。

為了解決上述主要技術(shù)課題，根據(jù)本發(fā)明，提供一種晶片的加工方法，對于在基板的正面層疊有發(fā)光層并在通過形成為格子狀的多個分割預(yù)定線劃分而成的多個區(qū)域中形成有光器件的晶片，沿著分割預(yù)定線分割為各個光器件，該加工方法的特征在于，包括：

改性層形成工序，以使聚光點(diǎn)位于內(nèi)部的方式，從基板的背面?zhèn)妊刂指铑A(yù)定線照射對于基板具有透射性的波長的激光光線，在基板的內(nèi)部沿著分割預(yù)定線形成改性層；以及

晶片分割工序，對實(shí)施了該改性層形成工序之后的晶片施加外力，以改性層為分割起點(diǎn)沿著分割預(yù)定線折斷晶片，將其分割為各個光器件，