[發(fā)明專利]多波段目標(biāo)/背景生成裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410160125.0 | 申請日: | 2014-04-21 |
| 公開(公告)號: | CN103900422A | 公開(公告)日: | 2014-07-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 張旺;汪東生;秦蘭琦;陳守謙;楊茂華;左寶君;范志剛 | 申請(專利權(quán))人: | 哈爾濱工業(yè)大學(xué) |
| 主分類號: | F41G3/32 | 分類號: | F41G3/32;G02B27/10;G02B27/30 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 150000 黑龍*** | 國省代碼: | 黑龍江;23 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 波段 目標(biāo) 背景 生成 裝置 | ||
1.多波段目標(biāo)/背景生成裝置,其特征在于所述生成裝置包括多波段復(fù)合光學(xué)系統(tǒng)、多波段目標(biāo)黑體、多波段背景黑體、靶標(biāo)組件和二維姿態(tài)調(diào)整平臺,二維姿態(tài)調(diào)整平臺上方安裝多波段復(fù)合光學(xué)系統(tǒng),所述多波段復(fù)合光學(xué)系統(tǒng)由平面反射鏡和離軸拋物面鏡組成,所述靶標(biāo)組件由靶標(biāo)基座和靶標(biāo)兩部分組成,靶標(biāo)置于離軸拋物面鏡的焦平面上,多波段目標(biāo)黑體置于靶標(biāo)后方照射靶標(biāo)孔后形成目標(biāo)光束,多波段背景黑體發(fā)出的輻射光束照射靶標(biāo)內(nèi)表面后形成背景光束,背景光束與目標(biāo)光束合成一束后由靶標(biāo)處出射,經(jīng)由平面反射鏡反射到離軸拋物面鏡上,再由離軸拋物面鏡準(zhǔn)直變成平行光束,形成無窮遠(yuǎn)的多波段目標(biāo)/背景供待測設(shè)備測試使用。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多波段目標(biāo)/背景生成裝置,其特征在于所述靶標(biāo)的基體材料選用紫銅片,材質(zhì)與多波段目標(biāo)黑體和多波段背景黑體輻射源輻射板相同。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多波段目標(biāo)/背景生成裝置,其特征在于所述多波段背景黑體的輻射面法線方向與靶標(biāo)面法線方向的夾角為一固定值,該值與離軸拋物面鏡的離軸距和光學(xué)元件的擺放位置有關(guān)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的多波段目標(biāo)/背景生成裝置,其特征在于所述靶標(biāo)表面反射率為90%以上。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的多波段目標(biāo)/背景生成裝置,其特征在于所述靶標(biāo)厚度為2mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的多波段目標(biāo)/背景生成裝置,其特征在于所述靶標(biāo)的內(nèi)表面拋光、鍍膜。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多波段目標(biāo)/背景生成裝置,其特征在于所述靶標(biāo)基座安裝在多波段復(fù)合光學(xué)系統(tǒng)焦平面中心。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多波段目標(biāo)/背景生成裝置,其特征在于所述二維姿態(tài)調(diào)整平臺由鑄鋁平臺和二維姿態(tài)調(diào)整機構(gòu)組成,鑄鋁平臺上方安裝多波段復(fù)合光學(xué)系統(tǒng),下方與二維姿態(tài)調(diào)整裝置連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求1、7或8所述的多波段目標(biāo)/背景生成裝置,其特征在于所述多波段復(fù)合光學(xué)系統(tǒng)的出光口徑為350毫米,焦距為2000毫米。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多波段目標(biāo)/背景生成裝置,其特征在于所述離軸拋物面鏡焦距為2000毫米,離軸距為430毫米。
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