[發(fā)明專利]一種制備GaMnN稀磁半導(dǎo)體薄膜材料的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410159218.1 | 申請日： | 2014-04-21 |
| 公開（公告）號： | CN105018902A | 公開（公告）日： | 2015-11-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 高興國 | 申請（專利權(quán)）人： | 齊魯工業(yè)大學(xué) |
| 主分類號： | C23C16/48 | 分類號： | C23C16/48;C23C16/34;C23C16/56;H01F41/22 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 250353 山東省濟南*** | 國省代碼： | 山東;37 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 制備 gamnn 半導(dǎo)體 薄膜 材料 方法 | ||
1.一種制備GaMnN稀磁半導(dǎo)體薄膜材料的方法，其特征在于技術(shù)方案可分三步：第一步，利用激光分子束外延方法在藍寶石襯底上生長GaN緩沖層；第二步，利用激光分子束外延方法在帶有GaN緩沖層的藍寶石襯底上生長GaMnN稀磁半導(dǎo)體薄膜材料；第三步，將原生的GaMnN稀磁半導(dǎo)體薄膜材料在生長室內(nèi)進行原位退火。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種制備GaMnN稀磁半導(dǎo)體薄膜材料的方法，其特征在于用激光分子束外延方法在藍寶石襯底上制備GaMnN稀磁半導(dǎo)體薄膜材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種制備GaMnN稀磁半導(dǎo)體薄膜材料的方法，其特征在于第一步先生長GaN緩沖層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種制備GaMnN稀磁半導(dǎo)體薄膜材料的方法，其特征在于第二步生長GaMnN稀磁半導(dǎo)體薄膜材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種制備GaMnN稀磁半導(dǎo)體薄膜材料的方法，其特征在于第三步將原生的GaMnN稀磁半導(dǎo)體薄膜材料在生長室內(nèi)進行原位退火。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于齊魯工業(yè)大學(xué)，未經(jīng)齊魯工業(yè)大學(xué)許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410159218.1/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇：金屬基超疏水材料的制備方法
- 下一篇：一種小型真空蒸鍍儀
- 同類專利
- 專利分類
C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆，例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
