[發明專利]電阻式隨機存取存儲器及其制造方法在審
| 申請號： | 201410159086.2 | 申請日： | 2014-04-18 |
| 公開（公告）號： | CN105024011A | 公開（公告）日： | 2015-11-04 |
| 發明（設計）人： | 何家驊;張碩哲;廖修漢;許博硯;林孟弘;吳伯倫;沈鼎瀛 | 申請（專利權）人： | 華邦電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人： | 李昕巍;趙根喜 |
| 地址： | 中國臺灣臺*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電阻 隨機存取存儲器 及其 制造 方法 | ||
1.一種電阻式隨機存取存儲器，包括第一電極層、第二電極層以及設置在該第一電極層和該第二電極層之間的可變電阻層，其中該第二電極層包括第一子層、第二子層和設置在該第一子層和該第二子層之間的導電性金屬氮氧化物層。
2.如權利要求1所述的電阻式隨機存取存儲器，其中該導電性金屬氮氧化物層中的金屬為由鉭、鈦、鎢、鉿、鎳、鋁、釩、鈷、和鋯組成的族群中選出的任一者。
3.如權利要求1所述的電阻式隨機存取存儲器，其中氮和氧在該導電性金屬氮氧化物層中的原子百分比分別為5％到30％和20％到60％。
4.如權利要求3所述的電阻式隨機存取存儲器，其中氧在該導電性金屬氮氧化物層中的原子百分比為45％到60％。
5.如權利要求1所述的電阻式隨機存取存儲器，其中該導電性金屬氮氧化物層具有多晶結構。
6.如權利要求1所述的電阻式隨機存取存儲器，其中該導電性金屬氮氧化物層的厚度在5nm到30nm之間。
7.如權利要求1所述的電阻式隨機存取存儲器，其中該第一子層和該可變電阻層接觸，該第一子層的材料包括鈦，且在該第一子層中，氧/鈦的原子數量比大于0.5。
8.如權利要求7所述的電阻式隨機存取存儲器，其中該第二子層的材料是選自由氮化鈦、氮化鉈、鉑、銥和石墨組成的族群。
9.一種電阻式隨機存取存儲器的制造方法，包括：
在基底上形成第一電極層和第二電極層；以及
在該第一電極層和該第二電極層之間形成可變電阻層，其中該第二電極層包括依序配置在該可變電阻層上的第一子層、導電性金屬氮氧化物層和第二子層。
10.如權利要求9所述的電阻式隨機存取存儲器的制造方法，其中該第一子層包括鈦，且該制造方法進一步包括進行加熱，使該導電性金屬氮氧化物層中的氧擴散進入該第一子層，從而使該第一子層中氧/鈦的原子數量比大于0.5。
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