[發(fā)明專利]AMOLED像素驅(qū)動電路、方法和顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410158960.0
• 申請日: 2014-04-18
• 公開（公告）號: CN103956138A
• 公開（公告）日: 2014-07-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王穎;劉穎
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號: G09G3/32
• 分類號: G09G3/32
• 代理公司: 北京銀龍知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;黃燦

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種AMOLED（Active?Matrix/Organic?Light?Emitting?Diode，是有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管）像素驅(qū)動電路、方法和顯示裝置。

背景技術(shù)

電流型AMOLED像素驅(qū)動電路直接采用電流型信號進(jìn)行像素電路的驅(qū)動，OLED的亮度和驅(qū)動電流的大小成正比，可以實(shí)現(xiàn)多級灰階的顯示。

如圖1所示，現(xiàn)有的電流型AMOLED像素驅(qū)動電路包括驅(qū)動晶體管TP1、數(shù)據(jù)寫入晶體管TP2和存儲單元，TP1和TP2為PMOS管，所述存儲單元包括相互并聯(lián)的存儲電容C和電阻R，在數(shù)據(jù)寫入階段，接入TP2的柵極的數(shù)據(jù)寫入控制信號Gate為低電平，TP2導(dǎo)通，Idata通過TP2對存儲電容C進(jìn)行充電；在像素點(diǎn)亮階段，接入TP1的柵極的發(fā)光控制信號EM為低電平，TP1導(dǎo)通，C放電以點(diǎn)亮OLED，OLED的陰極與驅(qū)動電源的低電平輸出端ELVSS連接。現(xiàn)有的電流型AMOLED像素驅(qū)動電路需要一定大小的驅(qū)動電流才能夠驅(qū)動OLED，并且由于在數(shù)據(jù)寫入階段對存儲電容充電的量固定，在此過程中無法對該充電量進(jìn)行調(diào)節(jié)，因此無法調(diào)節(jié)灰階。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的主要目的在于提供一種AMOLED像素驅(qū)動電路、方法和顯示裝置，以通過很小的數(shù)據(jù)電流就可以驅(qū)動OLED，并且可以通過調(diào)節(jié)在像素點(diǎn)亮階段流過OLED的電流的大小來調(diào)節(jié)灰階。

為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供了一種AMOLED像素驅(qū)動電路，用于驅(qū)動有機(jī)發(fā)光二極管OLED，包括：電荷存儲單元，用于在數(shù)據(jù)寫入階段被充電并在像素點(diǎn)亮階段放電以點(diǎn)亮所述OLED；用于在數(shù)據(jù)寫入階段寫入數(shù)據(jù)電流的數(shù)據(jù)寫入單元；發(fā)光控制單元，用于在像素點(diǎn)亮階段控制導(dǎo)通所述電荷存儲單元和所述OLED的連接；所述AMOLED像素驅(qū)動電路還包括電流放大單元，其用于在數(shù)據(jù)寫入階段放大數(shù)據(jù)電流，并通過放大后的數(shù)據(jù)電流對所述電荷存儲單元充電。

實(shí)施時，所述數(shù)據(jù)寫入階段包括電流放大階段和直接充電階段；

當(dāng)所述電流放大單元在電流放大階段放大數(shù)據(jù)電流時，所述數(shù)據(jù)寫入單元還用于在直接充電階段通過所述數(shù)據(jù)電流直接對所述電荷存儲單元充電。

實(shí)施時，所述數(shù)據(jù)寫入單元和所述電荷存儲單元的連接點(diǎn)為寫入節(jié)點(diǎn)；

所述電流放大單元包括電流放大控制模塊和比例電流鏡，其中，

所述電流放大控制模塊，用于在數(shù)據(jù)寫入階段的全部時間或部分時間導(dǎo)通所述寫入節(jié)點(diǎn)與所述比例電流鏡的電流輸入端之間的連接；

所述比例電流鏡的電流輸出端與所述寫入節(jié)點(diǎn)連接;

所述比例電流鏡，用于對所述數(shù)據(jù)電流進(jìn)行放大。

實(shí)施時，所述數(shù)據(jù)寫入單元包括：數(shù)據(jù)寫入晶體管，柵極接入數(shù)據(jù)寫入控制信號，第一極接入所述數(shù)據(jù)電流，第二極與所述寫入節(jié)點(diǎn)連接；

所述電流放大控制模塊包括：

放大控制三極管，基極與所述寫入節(jié)點(diǎn)連接，第一極接入電流放大控制信號；

寫入控制晶體管，柵極接入所述數(shù)據(jù)寫入控制信號，第一極與所述比例電流鏡的電流輸入端連接，第二極與所述放大控制三極管的第二極連接。

實(shí)施時，所述比例電流鏡包括輸入支路和輸出支路；

所述輸入支路包括：

第一PMOS管，第一極與驅(qū)動電源的高電平輸出端連接；

以及，第一NMOS管，柵極與所述第一NMOS管的第一極連接，第一極與驅(qū)動電源的低電平輸出端連接，第二極與所述第一PMOS管的第二極連接；

所述第一NMOS管的第二極為所述比例電流鏡的電流輸入端；

所述輸出支路包括：

第二PMOS管，柵極與所述第一PMOS管的柵極連接，第一極與所述驅(qū)動電源的高電平輸出端連接，第二極與所述第二PMOS管的柵極連接；

以及，第二NMOS管，柵極與所述第一NMOS管的柵極連接，第一極為所述電流輸出端，第二極與所述第二PMOS管的第二極連接。

實(shí)施時，所述第二PMOS管的寬長比與所述第二NMOS管的寬長比相等；所述第一PMOS管的寬長比與所述第一NMOS管的寬長比相等；

所述第二PMOS管的寬長比為所述第一PMOS管的寬長比的K倍，K大于1。

實(shí)施時，所述電荷存儲單元包括相互并聯(lián)的存儲電容和電阻；

所述存儲電容，一端與所述寫入節(jié)點(diǎn)連接，另一端與所述驅(qū)動電源的低電平輸出端連接。

本發(fā)明還提供了一種AMOLED像素驅(qū)動方法，應(yīng)用于上述的AMOLED像素驅(qū)動電路，包括：

在數(shù)據(jù)寫入階段，數(shù)據(jù)寫入單元寫入數(shù)據(jù)電流；