[發(fā)明專利]一種化學(xué)機械研磨的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410158666.X | 申請日： | 2014-04-18 |
| 公開（公告）號： | CN105097425A | 公開（公告）日： | 2015-11-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李強;閆大鵬;張志杰;桂輝輝 | 申請（專利權(quán)）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02;H01L21/321 |
| 代理公司： | 北京市磐華律師事務(wù)所 11336 | 代理人： | 董巍;高偉 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 化學(xué) 機械 研磨 方法 | ||
1.一種化學(xué)機械研磨的方法，包括：
提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上形成有層間介電層，在所述層間介電層中形成有溝槽，在所述層間介電層表面和所述溝槽中形成有銅互連層；
進行第一化學(xué)機械研磨，以去除所述層間介電層表面的大部分銅互連層；
進行第二化學(xué)機械研磨，以完全去除所述層間介電層表面的銅互連層；
采用含有酸性化學(xué)物質(zhì)的溶液清洗所述半導(dǎo)體襯底的表面，以去除銅殘留。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述酸性化學(xué)物質(zhì)包括檸檬酸銨。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二化學(xué)機械研磨的拋光速度低于所述第一化學(xué)機械研磨的拋光速度。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，進行所述第二化學(xué)機械研磨時，還包括進行一定時間的過度拋光處理的步驟。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述清洗與所述第二化學(xué)機械研磨在同一研磨墊上進行。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一化學(xué)機械研磨與所述第二化學(xué)機械研磨在不同的研磨墊上進行。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述清洗的時間為2～12s。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，對所述半導(dǎo)體襯底的表面進行清洗的同時還能對研磨墊起到清洗作用。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
