[發明專利]絕緣結構及絕緣方法

有效

• 申請號: 201410158429.3
• 申請日: 2014-04-18
• 公開（公告）號: CN104217913B
• 公開（公告）日: 2018-02-16
• 發明（設計）人: 佐藤正輝
• 申請（專利權）人: 斯伊恩股份有限公司
• 主分類號: H01J37/317
• 分類號: H01J37/317
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司72002
• 代理人: 徐殿軍

1.一種絕緣結構，其設置在用于從等離子體生成部引出離子束的多個電極之間，所述絕緣結構的特征在于，

所述多個電極具備第1電極、及被施加與該第1電極不同的電位的第2電極，

所述絕緣結構具備：

絕緣部件，具備連接于所述第1電極的第1部分、及連接于所述第2電極的第2部分，且用于將所述第1電極支承于所述第2電極；

第1保護部件，為了保護所述第1部分免受污染粒子的影響而包圍所述第1部分的至少一部分；及

第2保護部件，為了保護所述第2部分免受污染粒子的影響而包圍所述第2部分的至少一部分，

所述第1部分及所述第2部分中的至少一個由可加工陶瓷或多孔陶瓷形成，

所述第1保護部件及所述第2保護部件中的至少一個，由石墨形成，并具備吸附污染粒子的多孔吸附面，所述多孔吸附面的粗糙系數在200以上。

2.根據權利要求1所述的絕緣結構，其特征在于，

所述可加工陶瓷或多孔陶瓷的維氏硬度在5GPa以下。

3.根據權利要求1或2所述的絕緣結構，其特征在于，

所述可加工陶瓷含有氮化硼。

4.根據權利要求1所述的絕緣結構，其特征在于，

所述多孔陶瓷含有多孔氧化鋁。

5.根據權利要求1所述的絕緣結構，其特征在于，

所述絕緣部件在所述第1部分與所述第2部分之間具備中間部分，該中間部分在其表面具有凹部，

所述第1保護部件及所述第2保護部件配設成使允許污染粒子進入的間隙形成于所述第1保護部件與所述第2保護部件之間，所述凹部處于該間隙附近。

6.根據權利要求1所述的絕緣結構，其特征在于，

所述第1保護部件在所述第2保護部件與所述絕緣部件之間延伸，以遮擋從靠近所述第1電極的所述第2保護部件的末端朝向第1電極側的絕緣部件末端的視線。

7.根據權利要求1所述的絕緣結構，其特征在于，

所述第1保護部件包圍所述第1部分，且被支承于所述第1電極，

所述第2保護部件設置在所述第1保護部件的外側，

所述第1電極相對于所述第2電極被施加負電位。

8.根據權利要求1所述的絕緣結構，其特征在于，

所述第1保護部件具備與所述第1部分接觸的第1接觸部，該第1接觸部被夾在所述第1部分與所述第1電極之間，和/或

所述第2保護部件具備與所述第2部分接觸的第2接觸部，該第2接觸部被夾在所述第2部分與所述第2電極之間。

9.根據權利要求8所述的絕緣結構，其特征在于，

所述第1電極具有適合于所述第1接觸部的第1定位凹部，和/或

所述第2電極具有適合于所述第2接觸部的第2定位凹部。

10.根據權利要求8或9所述的絕緣結構，其特征在于，

所述第1部分通過貫穿所述第1電極及所述第1接觸部的第1緊固部件而被安裝于所述第1電極，和/或

所述第2部分通過貫穿所述第2電極及所述第2接觸部的第2緊固部件而被安裝于所述第2電極。

11.根據權利要求1所述的絕緣結構，其特征在于，

所述等離子體生成部具備含有碳的內壁。

12.一種絕緣結構，其設置在用于從等離子體生成部引出離子束的多個電極之間，所述絕緣結構的特征在于，

所述多個電極具備第1電極、及被施加與該第1電極不同的電位的第2電極，

所述絕緣結構具備絕緣部件，該絕緣部件具備連接于所述第1電極的第1部分、及連接于所述第2電極的第2部分，所述第1部分及所述第2部分中的至少一個由可加工陶瓷或多孔陶瓷形成，

所述絕緣結構在所述第1電極側具備用于保護所述絕緣部件免受污染粒子的影響的單一的保護部件，所述單一的保護部件由石墨形成，并具備吸附污染粒子的多孔吸附面，所述多孔吸附面的粗糙系數在200以上。