[發明專利]一種跨導放大器及高魯棒性混頻器電路

有效

• 申請號: 201410157923.8
• 申請日: 2014-04-18
• 公開（公告）號: CN105024663B
• 公開（公告）日: 2017-11-24
• 發明（設計）人: 池保勇;張欣旺;張澤宏;王志華
• 申請（專利權）人: 清華大學
• 主分類號: H03F3/45
• 分類號: H03F3/45;H03D7/16
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司11002
• 代理人: 李迪

1.一種跨導放大器，其特征在于，所述跨導放大器包括：差模電路、共模反饋電路和共模相位裕度補償電路；

所述差模電路，用于將輸入的射頻電壓信號轉換為射頻電流信號；

所述共模反饋電路，用于將所述射頻電壓信號的差模分量抵消，以產生共模電壓信號；

所述共模相位裕度補償電路，用于提高所述共模電壓信號的相位裕度；

其中，所述差模電路包括：4個隔直電容、4個隔交電阻、2個NMOS管和2個PMOS管；

第一隔直電容的第一端與第二隔直電容的第一端連接后作為第一輸入端，所述第一隔直電容的第二端與第一隔交電阻的第一端及第一PMOS管的柵極分別連接，所述第二隔直電容的第二端與第二隔交電阻的第一端及第一NMOS管的柵極分別連接，第三隔直電容的第一端與第四隔直電容的第一端連接后作為第二輸入端，所述第三隔直電容的第二端與第三隔交電阻的第一端及第二PMOS管的柵極分別連接，所述第四隔直電容的第二端與第四隔交電阻的第一端及第二NMOS管的柵極分別連接，所述第一PMOS管的源極與第二PMOS管的源極及電源端分別連接，所述第一NMOS管的源極與第二NMOS管的源極及接地端分別連接，所述第一NMOS管的漏極與第一PMOS管的漏極連接后作為第一輸出端，所述第二NMOS管的漏極與第二PMOS管的漏極連接后作為第二輸出端，所述第一隔交電阻的第二端與第三隔交電阻的第二端連接后作為偏置電壓輸入端，所述第二隔交電阻的第二端與第四隔交電阻的第二端連接后作為共模反饋信號端；

其中，所述共模相位裕度補償電路包括：兩個RC串聯電路，第一RC串聯電路連接于所述第一NMOS管的柵極與第一NMOS管的漏極之間，第二RC串聯電路連接于所述第二NMOS管的柵極與第二NMOS管的漏極之間。

2.如權利要求1所述的跨導放大器，其特征在于，所述跨導放大器還包括：偏置電壓供應電路；

所述偏置電壓供應電路包括：2個PMOS管、2個NMOS管和電阻，第三PMOS管的源極與第四PMOS管的源極及電源端分別連接，所述第三PMOS管的漏極與第三NMOS管的漏極、第三NMOS管的柵極及第四NMOS管的柵極分別連接，所述第三NMOS管的源極與接地端連接，所述第三NMOS管的柵極與所述第三NMOS管的漏極相連接，所述第四PMOS管的柵極與第四PMOS管的漏極、第四NMOS管的漏極及第三PMOS管的柵極分別連接，所述第四NMOS管的源極通過所述電阻與接地端連接，所述第四NMOS管的寬長比為第三NMOS管的寬長比的K倍，所述K大于1，所述第三PMOS管的柵極作為偏置電壓輸出端。

3.一種高魯棒性混頻器電路，其特征在于，所述高魯棒性混頻器電路包括：權利要求1或2所述的跨導放大器。

4.如權利要求3所述的高魯棒性混頻器電路，其特征在于，所述高魯棒性混頻器電路還包括：電流型混頻器和跨阻放大器，所述跨導放大器、電流型混頻器和跨阻放大器依次連接。