[發明專利]一種通過控制襯底上的石墨烯成核位點生長石墨烯的方法

無效

• 申請號: 201410157129.3
• 申請日: 2014-04-19
• 公開（公告）號: CN103928305A
• 公開（公告）日: 2014-07-16
• 發明（設計）人: 周鵬;楊松波;沈于蘭
• 申請（專利權）人: 復旦大學
• 主分類號: H01L21/205
• 分類號: H01L21/205;C01B31/04
• 代理公司: 上海正旦專利代理有限公司 31200
• 代理人: 陸飛;盛志范

1.?一種通過控制襯底上的石墨烯成核位點生長石墨烯的方法，其特征在于具體步驟為：?

（1）提供銅或二氧化硅襯底；

（2）設計特定形狀的掩模板，用以控制襯底上的石墨烯成核位點；

（3）利用掩模板，采用物理氣相沉積方法在襯底上淀積銅，作為石墨烯成核位點；?

（4）利用低壓化學氣相沉積方法在有成核位點的襯底上生長石墨烯。

2.?根據權利要求1所述方法，其特征在于所述的二氧化硅襯底表面先要經過拋光處理，并進行清洗，去除表面的雜質、顆粒、殘留試劑，使襯底表面干凈，平整光滑，沒有玷污。