[發明專利]一種金屬-介質-金屬結構電容的制作方法

在審

• 申請號: 201410156492.3
• 申請日: 2014-04-18
• 公開（公告）號: CN103928301A
• 公開（公告）日: 2014-07-16
• 發明（設計）人: 陳曉娟;袁婷婷;羅衛軍;和致經;劉新宇
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/28
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 任巖

1.一種金屬-介質-金屬結構電容的制作方法，其特征在于，該方法包括：

步驟1：在基板上涂光刻膠，并對光刻膠進行光刻、顯影，在基板上形成下極板圖形；

步驟2：在形成下極板圖形的基板上蒸發多層金屬，形成金屬-介質-金屬電容的下極板；

步驟3：在形成下極板的基板上淀積介質層；

步驟4：在淀積有介質層的基片上全片勻光刻膠，對光刻膠進行光刻、顯影，在光刻膠上形成開孔；然后刻蝕去除開孔處的介質層，并將基片放入丙酮溶液中，去除光刻膠；

步驟5：在基片上全片勻光刻膠，對光刻膠進行光刻、顯影，在光刻膠上形成上極板圖形，然后在基片表面濺射起鍍層；

步驟6：對濺射起鍍層的基片整片涂覆光刻膠，對光刻膠進行光刻、顯影，形成上極板圖形以及壓點圖形；然后將基片放入電鍍液中進行電鍍，并將電鍍完成的基片放入丙酮溶液中剝離，形成空氣橋圖形、電容上極板以及壓點。

2.根據權利要求1所述的金屬-介質-金屬結構電容的制作方法，其特征在于，步驟1中所述基板采用氮化鋁基板，平整度在±。

3.根據權利要求1所述的金屬-介質-金屬結構電容的制作方法，其特征在于，步驟2中所述在形成下極板圖形的基板上蒸發多層金屬，是將帶有光刻膠形成下極板圖形的基片放入蒸發機，蒸發順序為金屬粘附層／金屬金Au／金屬粘附層，蒸發完畢后，將整片放入剝離液中，采用丙酮溶液，將光刻膠上的金屬剝離，而電容下極板處的金屬留下，經過清洗吹干，形成金屬-介質-金屬電容的下極板。

4.根據權利要求1所述的金屬-介質-金屬結構電容的制作方法，其特征在于，步驟3中所述在形成下極板的基板上淀積介質層，是將形成下極板的基板整片放入等離子增強化學氣相沉積設備，采用等離子增強化學氣相沉積法生長介質層，介質層采用SiO₂或Si₃N₄，生長速率控制在20-40nm／min，介質層厚度控制在

5.根據權利要求1所述的金屬-介質-金屬結構電容的制作方法，其特征在于，步驟4中所述在淀積有介質層的基片上全片勻光刻膠，采用正膠，厚度在1μm-1.5μm。

6.根據權利要求1所述的金屬-介質-金屬結構電容的制作方法，其特征在于，步驟4中所述刻蝕去除開孔處的介質層，是利用干法刻蝕的方法去除開孔處的介質層，采用離子刻蝕設備，刻蝕速率控制在60-90nm／min。

7.根據權利要求1所述的金屬-介質-金屬結構電容的制作方法，其特征在于，步驟5中所述在基片上全片勻光刻膠，采用正膠，厚度在2.5μm-3μm之間。

8.根據權利要求1所述的金屬-介質-金屬結構電容的制作方法，其特征在于，步驟5中所述在基片表面濺射起鍍層，是將光刻好的基片放入濺射的儀器，整片濺射起鍍層，起鍍層的金屬采用Ti／Au，厚度30nm／80nm。

9.根據權利要求1所述的金屬-介質-金屬結構電容的制作方法，其特征在于，步驟6中所述對濺射起鍍層的基片整片涂覆光刻膠，采用正膠，厚度控制在3μm。

10.根據權利要求1所述的金屬-介質-金屬結構電容的制作方法，其特征在于，步驟6中所述將基片放入電鍍液中進行電鍍，電鍍的導通電阻在3歐姆以下，電鍍的電流控制在2.5×10^-2／mm²，電鍍的速率為0.08-0.11μm／min，電鍍層厚度為2.5μm。