[發(fā)明專利]OLED發(fā)光裝置及其制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410155846.2 | 申請日: | 2014-04-17 |
| 公開(公告)號: | CN103928626A | 公開(公告)日: | 2014-07-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 吳界煌 | 申請(專利權(quán))人: | 上海和輝光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/50 | 分類號: | H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 隆天國際知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003 | 代理人: | 于寶慶;劉春生 |
| 地址: | 201500 上海市金山區(qū)*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | oled 發(fā)光 裝置 及其 制造 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本公開涉及一種發(fā)光裝置,特別涉及一種OLED發(fā)光裝置及其制造方法。
背景技術(shù)
OLED(Organic?Light?Emitting?Diode有機(jī)發(fā)光二極管)是有機(jī)電致發(fā)光裝置,其通過將有機(jī)發(fā)光材料夾在透明陽極和金屬反射陰極之間,對有機(jī)薄膜施加電壓來進(jìn)行發(fā)光,既可以用作顯示裝置也可以用作照明裝置。
OLED的發(fā)光單元主要由金屬陰極、電子注入層、電子傳輸層、發(fā)光層、空穴傳輸層、空穴注入層和透明陽極組成。因?yàn)镺LED發(fā)光面是由多個(gè)有效發(fā)光單元和像素定義層構(gòu)成的,并不是整個(gè)表面均能發(fā)光,因此才有開口率概念。開口率是指有效發(fā)光單元的表面積和整個(gè)發(fā)光面的面積的比值。一般來講,對于照明OLED產(chǎn)品,開口率一般在80%以上。而對于OLED顯示產(chǎn)品,因?yàn)樵谄浔砻娉讼袼囟x層還有像素存儲電容和TFT,因此開口率一般在50%左右。
圖1示出了一種傳統(tǒng)OLED發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu),OLED主要包括基板1、平坦化層2、發(fā)光單元3和像素定義層4。發(fā)光單元3和像素定義層4設(shè)置在平坦化層2上,發(fā)光單元3的表面為平坦表面。
為了提高OLED的亮度,通常采用的做法是提高有機(jī)材料的發(fā)光效率,或者提高開口率。提高有機(jī)材料的發(fā)光效率需要進(jìn)行很多試驗(yàn),優(yōu)化出最佳的發(fā)光器件結(jié)構(gòu),并且發(fā)光效率的提高有一個(gè)限度。而提高OLED的開口率需要減小輔助電極、TFT、電容等不發(fā)光面的面積。目前一般來講開口率最高只能做到60%左右,而現(xiàn)在OLED作為一種常用的照明以及顯示材料,具有較大的使用量,因此目前的OLED的開口率不太能滿足使用的需求。
另外,當(dāng)OELD顯示面板分辨率愈高時(shí),像素的開口面積會愈小,像素亮度也會降低。
因此,需要一種在不降低分辨率的情況下能夠提高像素亮度的裝置和方法。
在所述背景技術(shù)部分公開的上述信息僅用于加強(qiáng)對本公開的背景的理解,因此它可以包括不構(gòu)成對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。
發(fā)明內(nèi)容
針對上述問題,發(fā)明人經(jīng)過長期的深入研究,在發(fā)光單元與基板之間設(shè)置包含彎曲部的平坦化層,從而增大發(fā)光面積,提高發(fā)光亮度。
根據(jù)本公開的一方面,提供一種OLED發(fā)光裝置,包括:
基板;
位于所述基板上的平坦化層,其中所述平坦化層具有多個(gè)彼此間隔開的彎曲部;
位于所述平坦化層上的多個(gè)發(fā)光單元,每個(gè)發(fā)光單元位于所述彎曲部上且具有與所述彎曲部相應(yīng)的形狀,其中每個(gè)發(fā)光單元包括:
第一電極;
位于所述第一電極上的發(fā)光結(jié)構(gòu);
位于所述發(fā)光結(jié)構(gòu)上的第二電極,
其中,所述彎曲部的一截面整體上具有弧形輪廓。
根據(jù)本公開的一個(gè)示范實(shí)施方式,還包括像素定義層,位于相鄰的所述彎曲部之間。
根據(jù)本公開的另一個(gè)示范實(shí)施方式,其中所述彎曲部為形成在所述平坦化層上的凸出部。
根據(jù)本公開的另一個(gè)示范實(shí)施方式,其中所述彎曲部與所述平坦化層包括相同材料。
根據(jù)本公開的另一個(gè)示范實(shí)施方式,其中所述彎曲部與所述平坦化層一體形成。
根據(jù)本公開的另一個(gè)示范實(shí)施方式,其中所述彎曲部包括光致抗蝕劑材料。
根據(jù)本公開的另一個(gè)示范實(shí)施方式,其中所述彎曲部為形成在所述平坦化層中的凹陷。
根據(jù)本公開的另一個(gè)示范實(shí)施方式,其中所述彎曲部具有多重凹凸?fàn)畋砻妗?/p>
根據(jù)本公開的另一個(gè)示范實(shí)施方式,其中所述第一電極和所述第二電極之一為陽極,且另一個(gè)為陰極。
根據(jù)本公開的另一方面,提供一種制造OLED發(fā)光裝置的方法,包括:
在基板之上形成平坦化層;
在所述平坦化層上形成多個(gè)彼此間隔開的彎曲部;
在所述彎曲部上形成第一電極;
在所述第一電極上形成發(fā)光結(jié)構(gòu)及第二電極;
其中,所述彎曲部的一截面整體上具有弧形輪廓。
根據(jù)本公開方法的一個(gè)示范實(shí)施方式,還包括在形成所述第一電極之后形成像素定義層,所述像素定義層位于相鄰的所述彎曲部之間并暴露出所述第一電極的至少部分表面。
根據(jù)本公開方法的另一個(gè)示范實(shí)施方式,其中所述彎曲部為形成在所述平坦化層上的凸出部。
根據(jù)本公開方法的另一個(gè)示范實(shí)施方式,其中所述彎曲部與所述平坦化層包括相同材料。
根據(jù)本公開方法的另一個(gè)示范實(shí)施方式,其中所述彎曲部與所述平坦化層一體形成。
根據(jù)本公開方法的另一個(gè)示范實(shí)施方式,其中所述彎曲部包括光致抗蝕劑材料。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





