[發明專利]能應對過電壓的交流直接驅動型LED電源裝置

在審

• 申請號: 201410155525.2
• 申請日: 2014-04-17
• 公開（公告）號: CN104684203A
• 公開（公告）日: 2015-06-03
• 發明（設計）人: 李大永
• 申請（專利權）人: 英能株式會社
• 主分類號: H05B37/02
• 分類號: H05B37/02
• 代理公司: 北京潤平知識產權代理有限公司 11283
• 代理人: 陳瀟瀟;肖冰濱

1.一種能應對過電壓的交流直接驅動型LED電源裝置，在能應對過電壓的交流直接驅動型LED電源裝置中，其特征在于，包括：

電源輸入部，其接受交流電源供應；

整流部，其用于對所述電源輸入部輸出的所述交流電源進行整流，生成整流電流；

LED排列部，其連接得從所述整流部接受整流電流供應，由一個以上的LED模塊構成；

恒定電流控制部，其連接于所述LED排列部，用于使接入所述LED排列部的整流電流的波形變形，控制使得只流動既定額定電流以下；及

基于電壓的電流控制部，其根據所述恒定電流控制部的兩端電壓而驅動，用于根據所述電源輸入部供應的過電壓的大小，連續地降低電流值。

2.根據權利要求1所述的能應對過電壓的交流直接驅動型LED電源裝置，其特征在于，

所述恒定電流控制部具備連接的兩個Q1及Q2FET，根據兩個所述Q1及Q2FET的動作，管制連接于所述恒定電流控制部的所述LED排列部內的電流流動。

3.根據權利要求1所述的能應對過電壓的交流直接驅動型LED電源裝置，其特征在于，

所述基于電壓的電流控制部具備一個Q3FET，根據Q3FET的動作，降低所述恒定電流控制部的電壓。

4.根據權利要求2所述的能應對過電壓的交流直接驅動型LED電源裝置，其特征在于，

所述Q1及Q2FET為BJT（Bipolar?Junction?Transistor，雙極結型晶體管）或FET（Field?Effect?Transistor，場效應晶體管）。

5.根據權利要求3所述的能應對過電壓的交流直接驅動型LED電源裝置，其特征在于，

所述Q3FET為BJT或FET。

6.根據權利要求2所述的能應對過電壓的交流直接驅動型LED電源裝置，其特征在于，

在所述Q1FET及所述Q2FET的柵極電極前端，分別具備用于形成所述Q1及Q2FET驅動所需基準電壓的R1電阻及用于調節電流限制量的R2電阻。

7.根據權利要求3所述的能應對過電壓的交流直接驅動型LED電源裝置，其特征在于，

在所述Q3FET的柵極電極前端，并列具備能夠決定控制時間點的R3電阻及R4電阻.

8.根據權利要求1所述的能應對過電壓的交流直接驅動型LED電源裝置，其特征在于，

還包括基準電壓源部，其配備于所述LED排列部與所述基于電壓的電流控制部之間，用于使所述LED排列部中流動的電流連接到所述基于電壓的電流控制部中具備的R3電阻；所述基準電壓源部執行使電流限制時間點延遲或基準電壓判讀中的某一個以上。

9.根據權利要求1所述的能應對過電壓的交流直接驅動型LED電源裝置，其特征在于，

還包括基準電流源部，其配備于所述LED排列部與所述基于電壓的電流控制部之間，用于使所述LED排列部中流動的電源連接到所述基于電壓的電流控制部中具備的R3電阻；所述基準電流源部執行使電流限制時間點延遲或基準電流判讀中的某一個以上。

10.根據權利要求9所述的能應對過電壓的交流直接驅動型LED電源裝置，其特征在于，

所述基準電流源部包括一個Q4FET和連接于所述Q4FET的柵極電極并決定電流量的R5電阻及R6電阻。

11.根據權利要求3所述的能應對過電壓的交流直接驅動型LED電源裝置，其特征在于，

所述基于電壓的電流控制部包括基準電壓源部，其連接于所述基于電壓的電流控制部具備的Q3FET的柵極電極與R3電阻。

12.根據權利要求8所述的能應對過電壓的交流直接驅動型LED電源裝置，其特征在于，

所述恒定電流控制部包括最小電流保障部，其連接于所述LED排列部連接的R1電阻與所述Q2FET的源極電極。

13.根據權利要求12所述的能應對過電壓的交流直接驅動型LED電源裝置，其特征在于，

所述最小電流保障部由連接于所述R1電阻的Q5FET和連接于所述Q5FET的柵極電極的R7電阻構成。