[發(fā)明專利]一種諧振電路、充電器及不間斷電源在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410152920.5 | 申請(qǐng)日: | 2014-04-16 |
| 公開(公告)號(hào): | CN105024551A | 公開(公告)日: | 2015-11-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 倪同;劉中偉 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 艾默生網(wǎng)絡(luò)能源有限公司 |
| 主分類號(hào): | H02M3/335 | 分類號(hào): | H02M3/335 |
| 代理公司: | 北京同達(dá)信恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291 | 代理人: | 黃志華 |
| 地址: | 518057 廣東省*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 諧振 電路 充電器 不間斷電源 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域,尤其涉及一種諧振電路、充電器及不間斷電源。
背景技術(shù)
諧振電路以其較高的效率,因此諧振電路被業(yè)界廣泛的使用。隨著目前社會(huì)對(duì)能源的使用率要求越來越高,因此高效率的拓?fù)湟苍絹碓奖淮蠹谊P(guān)注和使用。諧振電路由于其諧振特點(diǎn),在諧振頻率下時(shí),輸入側(cè)開關(guān)管具有零電流開關(guān)(英文:Zero?Current?Switch簡(jiǎn)稱:ZCS)特點(diǎn),而在整流側(cè)二極管具有零電壓開關(guān)(英文:Zero?Voltage?Switch簡(jiǎn)稱:ZVS)特點(diǎn),因此諧振電路具有較高的效率,普遍用于通信電源的變換器中,近年來也有小功率不間斷電源也開始嘗試使用諧振電路。
但是目前的諧振電路只能實(shí)現(xiàn)單向的諧振,如圖1所示為現(xiàn)有技術(shù)中的諧振電路,該諧振電路中包含了斬波部分、諧振部分以及整流部分,在圖1所示的諧振電路中只有能量從左往右傳遞時(shí),諧振電路中的諧振部分才具有諧振功能,這樣不僅降低了諧振電路的使用效率,同時(shí)也限制了諧振電路的應(yīng)用范圍。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例提供了一種諧振電路、充電器及不間斷電源,用以實(shí)現(xiàn)諧振電路的雙向諧振功能,提升諧振電路效率。
其具體的技術(shù)方案如下:
一種諧振電路,包括:
第一斬波部分(20),所述第一斬波部分(20)的一對(duì)接入端中的第一接入端和第二接入端分別連接至第一控制源(10)兩端;
諧振部分(30),所述諧振部分(30)包含了儲(chǔ)能器件(30a)、第一電感(30b)、電容(30c)、變壓器(30d)、開關(guān)(30e),儲(chǔ)能器件(30a)、開關(guān)(30e)、第一電感(30b)、電容(30c)以及變壓器(30d)的原邊繞組串聯(lián),所述第一電感(30b)與開關(guān)(30e)之間的連接點(diǎn)連接至所述第一斬波部分(20)的另一對(duì)接入端中的第三接入端,所述變壓器(30d)的原邊繞組與儲(chǔ)能器件30a之間的連接點(diǎn)連接至第一斬波部分(20)另一對(duì)接入端中的第四接入端;
第二斬波部分(40),所述第二斬波部分(40)的一對(duì)接入端中,第一接入端和第二接入端分別連接至第二控制源(50)兩端,所述第二斬波部分(40)的另一對(duì)接入端中,第三接入端和第四接入端分別連接至變壓器(30d)的副邊繞組兩端。
可選的,所述第一斬波部分(20)包括第一MOS管(20a)、第二MOS管(20b)、第三MOS管(20c)、第四MOS管(20d),第一MOS管(20a)與第二MOS管(20b)串聯(lián)形成第一支路,第三MOS管(20c)和第四MOS管(20d)串聯(lián)形成第二支路,所述第一支路與所述第二支路并聯(lián),所述第一支路的兩端作為第一斬波部分(20)的一對(duì)接入端中的第一接入端以及第二接入端,第一MOS管(20a)與第二MOS管(20b)之間的連接點(diǎn)以及第三MOS管(20c)與第四MOS管(20d)之間的連接點(diǎn)作為第一斬波部分(20)的另一對(duì)接入端中的第三接入端和第四接入端。
可選的,所述第二斬波部分(40)包括第五MOS管(40a)、第六MOS管(40b)、第七M(jìn)OS管(40c)、第八MOS管(40d),第五MOS管(40a)和第六MOS管(40b)串聯(lián)形成第三支路,第七M(jìn)OS管(40c)和第八MOS管(40d)串聯(lián)形成第四支路,所述第三支路與所述第四支路并聯(lián),所述第三支路的兩端作為第二斬波部分(40)的一對(duì)接入端中的第一接入端和第二接入端,第五MOS管(40a)與第六MOS管(40b)之間的連接點(diǎn)以及第七M(jìn)OS管(40c)與第八MOS關(guān)(40d)之間的連接點(diǎn)作為第二斬波部分(40)的另一對(duì)接入端中的第三接入端和第四接入端。
可選的,所述儲(chǔ)能器件(30a)具體為第一電容(60),所述第一電容(60)的電容值小于所述電容(30c)的電容值。
可選的,所述儲(chǔ)能器件(30a)具體為第二電感(70),所述第二電感(70)的電感量為第一電感(30b)的n倍,n為大于等于3的正數(shù)。
可選的,所述儲(chǔ)能器件(30a)具體為串聯(lián)的第三電感(70a)和第二電容(60a),所述第三電感(70a)的電感量為第一電感(30b)的電感量的g倍,g為大于等于3的正數(shù)。
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