[發(fā)明專利]雙高阻層槽形柵多晶硅結(jié)構(gòu)的聯(lián)柵晶體管

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410152021.5
• 申請日: 2014-04-16
• 公開（公告）號: CN103956377A
• 公開（公告）日: 2014-07-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李思敏
• 申請（專利權(quán)）人: 李思敏
• 主分類號: H01L29/10
• 分類號: H01L29/10;H01L29/73;H01L29/06
• 代理公司: 北京北新智誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11100
• 代理人: 張衛(wèi)華

1.一種雙高阻層槽形柵多晶硅結(jié)構(gòu)的聯(lián)柵晶體管，在其下層為N⁺型低電阻率層、上層為N型高電阻率層的硅襯底片的上表面有多個N⁺型的高摻雜濃度的發(fā)射區(qū)，該發(fā)射區(qū)的上面連接著N⁺型的摻雜多晶硅層，該摻雜多晶硅層與發(fā)射極金屬層連接，每個發(fā)射區(qū)的周圍有P型的基區(qū)，基區(qū)的側(cè)下面連著摻雜濃度比基區(qū)高、深度比基區(qū)深度深的P⁺型的槽形柵區(qū)，槽形柵區(qū)中的每條槽的底面和側(cè)面都覆蓋著絕緣層，柵區(qū)與柵極金屬層相連，硅襯底片的上層位于基區(qū)以下和柵區(qū)以下的部分為集電區(qū)，硅襯底片的下層是集電極，集電極的下表面與集電極金屬層相連，其特征在于：

所述硅襯底片的N型高電阻率層分為上下兩層，N型高電阻率層的上層的電阻率高于N型高電阻率層的下層的電阻率；

所述硅襯底片的N型高電阻率層的下層的電阻率為2-9Ω·cm；

所述硅襯底片的N型高電阻率層的下層的厚度為13-40μm。

2.如權(quán)利要求1所述的雙高阻層槽形柵多晶硅結(jié)構(gòu)的聯(lián)柵晶體管，其特征在于：

所述兩個相鄰的槽形柵區(qū)互相交疊。

3.如權(quán)利要求1所述的雙高阻層槽形柵多晶硅結(jié)構(gòu)的聯(lián)柵晶體管，其特征在于：

所述每條槽的側(cè)面絕緣層延伸到硅襯底片的上表面。

4.如權(quán)利要求1所述的雙高阻層槽形柵多晶硅結(jié)構(gòu)的聯(lián)柵晶體管，其特征在于：

所述每條槽的側(cè)面絕緣層的頂部在槽內(nèi)。