[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410151818.3
• 申請(qǐng)日: 2014-04-16
• 公開（公告）號(hào): CN104113323B
• 公開（公告）日: 2019-05-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 豐田善昭
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 富士電機(jī)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H03K19/0944
• 分類號(hào): H03K19/0944
• 代理公司: 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 魯恭誠;李柱天

1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具備微調(diào)電路，

所述微調(diào)電路包括：

恒流電路；

熔絲電阻，其一端與該恒流電路連接；

微調(diào)板，其與連接所述恒流電路和所述熔絲電阻的一端的連接點(diǎn)連接；

保護(hù)電阻，其一端與所述連接點(diǎn)連接；

保護(hù)二極管，其陰極與該保護(hù)電阻的另一端連接；

MOS晶體管，其柵極與所述保護(hù)電阻的另一端連接；以及

地線，所述熔絲電阻的另一端以及所述保護(hù)二極管的陽極與所述地線連接，

其中，所述熔絲電阻、保護(hù)電阻以及保護(hù)二極管由在半導(dǎo)體基板上隔著第1絕緣膜配置的1層的多晶硅層、或2層的多晶硅層、或2層結(jié)構(gòu)以外的多層的多晶硅層形成，所述2層的多晶硅層之間隔著第2絕緣膜，所述多層的多晶硅層之間用金屬布線進(jìn)行連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

形成所述熔絲電阻的第一層多晶硅層配置在所述第1絕緣膜上，在所述第一層多晶硅層上隔著所述第2絕緣膜配置有第二層多晶硅層，所述第二層多晶硅層形成所述保護(hù)電阻以及保護(hù)二極管，在所述第二層多晶硅層上配置有第3絕緣膜。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述熔絲電阻選擇性地形成于所述第一層多晶硅層上。

4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具備：

所述保護(hù)電阻的端部兼做所述保護(hù)二極管的陰極區(qū)域的共享區(qū)域。

5.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括：

第1開口部，其形成于所述保護(hù)電阻，用于連接所述熔絲電阻和所述保護(hù)電阻的第1金屬布線通過所述第1開口部；以及

第2開口部，其形成于所述保護(hù)二極管的陽極區(qū)域，用于連接所述熔絲電阻和所述保護(hù)二極管的第3金屬布線通過所述第2開口部。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述第3絕緣膜配置于所述第1開口部以及所述第2開口部，

所述第1金屬布線配置于第1接觸部，所述第1接觸部在所述第1開口部的內(nèi)側(cè)形成于所述第3絕緣膜以及所述第2絕緣膜，

所述第3金屬布線配置于第2接觸部，所述第2接觸部在所述第2開口部的內(nèi)側(cè)形成于所述第3絕緣膜以及所述第2絕緣膜。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述熔絲電阻具有熔斷部以及配置在所述熔斷部?jī)蓚?cè)且寬度比所述熔斷部的寬度寬的第1接觸區(qū)域和第2接觸區(qū)域，

所述共享區(qū)域從所述熔斷部的上部至未形成有所述熔斷部的所述第1接觸區(qū)域和所述第2接觸區(qū)域之間的區(qū)域形成在所述第2絕緣膜上，

具有連接所述MOS晶體管的柵極和所述共享區(qū)域的第2金屬布線，

所述共享區(qū)域和所述第2金屬布線在未形成有所述熔斷部的所述第1接觸區(qū)域和所述第2接觸區(qū)域之間的區(qū)域連接。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

形成所述保護(hù)電阻以及保護(hù)二極管的第一層多晶硅層配置在所述第1絕緣膜上，形成所述熔絲電阻的第二層多晶硅層隔著所述第2絕緣膜配置在所述第一層的多晶硅層上。

9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述第一層多晶硅層的大小為所述第二層多晶硅層的大小以上。