[發(fā)明專利]一種薄膜晶體管和陣列基板有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410150708.5 | 申請(qǐng)日： | 2014-04-15 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN103904130B | 公開(kāi)（公告）日： | 2017-04-19 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 徐向陽(yáng) | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 深圳市華星光電技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L29/786 | 分類號(hào)： | H01L29/786;H01L29/06;H01L29/417;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京聿宏知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11372 | 代理人： | 吳大建,劉華聯(lián) |
| 地址： | 518132 廣東*** | 國(guó)省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 薄膜晶體管 陣列 | ||
1.一種薄膜晶體管，其特征在于，包括：
柵極；
設(shè)置于所述柵極上方的島區(qū)；
設(shè)置于所述島區(qū)上方的源極；
用于輸出同一信號(hào)的多個(gè)漏極，所述多個(gè)漏極均以與所述源極相間隔的方式設(shè)置在所述源極的兩側(cè)；
其中，每一所述漏極包括：
與所述源極垂直的第一延伸部，
與所述源極平行且與所述第一延伸部的第一端部相連的第二延伸部；
每一所述漏極的第二延伸部與第一延伸部的第一端部相連的邊緣位于所述島區(qū)對(duì)應(yīng)區(qū)域的內(nèi)部，并與所述島區(qū)對(duì)應(yīng)區(qū)域的邊緣保持足夠的距離，使得當(dāng)所述柵極與所述源極、漏極發(fā)生相對(duì)偏移時(shí)，所述柵極與所述多個(gè)漏極的重疊區(qū)域的面積的總和保持不變，所述島區(qū)與所述多個(gè)漏極的重疊區(qū)域的面積的總和保持不變。
2.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于：
所述源極呈條形，其一端延伸，以與對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線實(shí)現(xiàn)電性連接；
每一所述漏極的第一延伸部的第二端部延伸，以到達(dá)所對(duì)應(yīng)的像素電極的下方，借助接觸孔與所述像素電極實(shí)現(xiàn)電性連接。
3.如權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管，其特征在于：
所述島區(qū)的長(zhǎng)度小于所述漏極的第二延伸部的長(zhǎng)度，以使所述漏極與所述源極之間的溝道的長(zhǎng)度小于所述漏極的第二延伸部的長(zhǎng)度。
4.如權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管，其特征在于：
所述島區(qū)的長(zhǎng)度大于所述漏極的第二延伸部的長(zhǎng)度，以使所述漏極與所述源極之間的溝道的長(zhǎng)度等于所述漏極的第二延伸部的長(zhǎng)度。
5.如權(quán)利要求1～4任意一項(xiàng)所述的薄膜晶體管，其特征在于：
所述源極以與對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線平行的方式設(shè)置在所述島區(qū)中央上方的區(qū)域；
所述漏極的個(gè)數(shù)為兩個(gè)，對(duì)稱分布在所述源極的兩側(cè)。
6.一種陣列基板，其特征在于，包括以陣列形式排布的多個(gè)像素單元，每一所述像素單元對(duì)應(yīng)于一掃描線和一數(shù)據(jù)線，并包括一薄膜晶體管和一像素電極，所述薄膜晶體管包括：
與所述掃描線電性連接的柵極；
設(shè)置于所述柵極上方的島區(qū)；
設(shè)置于所述島區(qū)上方且與所述數(shù)據(jù)線電性連接的源極；
用于輸出同一信號(hào)給所述像素電極的多個(gè)漏極，所述多個(gè)漏極均以與所述源極相間隔的方式設(shè)置在所述源極的兩側(cè)；
其中，每一所述漏極包括：
與所述源極垂直的第一延伸部，
與所述源極平行且與所述第一延伸部的第一端部相連的第二延伸部；
每一所述漏極的第二延伸部與第一延伸部的第一端部相連的邊緣位于所述島區(qū)對(duì)應(yīng)區(qū)域的內(nèi)部，并與所述島區(qū)對(duì)應(yīng)區(qū)域的邊緣保持足夠的距離，使得當(dāng)所述柵極與所述源極、漏極發(fā)生相對(duì)偏移時(shí)，所述柵極與所述多個(gè)漏極的重疊區(qū)域的面積的總和保持不變，所述島區(qū)與所述多個(gè)漏極的重疊區(qū)域的面積的總和保持不變。
7.如權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于：
所述源極呈條形，其一端延伸以與所述數(shù)據(jù)線電性連接；
每一所述漏極的第一延伸部的第二端部延伸至所述像素電極的下方，借助接觸孔與所述像素電極電性連接。
8.如權(quán)利要求7所述的陣列基板，其特征在于：
所述島區(qū)的長(zhǎng)度小于所述漏極的第二延伸部的長(zhǎng)度，以使所述漏極與所述源極之間的溝道的長(zhǎng)度小于所述漏極的第二延伸部的長(zhǎng)度。
9.如權(quán)利要求7所述的陣列基板，其特征在于：
所述島區(qū)的長(zhǎng)度大于所述漏極的第二延伸部的長(zhǎng)度，以使所述漏極與所述源極之間的溝道的長(zhǎng)度等于所述漏極的第二延伸部的長(zhǎng)度。
10.如權(quán)利要求6～9任意一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于：
所述薄膜晶體管中，所述源極以與所述數(shù)據(jù)線平行的方式設(shè)置在所述島區(qū)中央上方的區(qū)域，所述漏極的個(gè)數(shù)為兩個(gè)，對(duì)稱分布在所述源極的兩側(cè)。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過(guò)對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過(guò)施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的
