[發(fā)明專利]發(fā)光器件

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410150329.6
• 申請(qǐng)日: 2014-04-15
• 公開（公告）號(hào): CN104112808A
• 公開（公告）日: 2014-10-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鈴木稔
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社迪思科
• 主分類號(hào): H01L33/48
• 分類號(hào): H01L33/48;H01L33/60
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;黃綸偉

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及由具有發(fā)光層的發(fā)光二極管形成的發(fā)光器件。

背景技術(shù)

包含LED（Light?Emitting?Diode：發(fā)光二極管）、LD（Laser?Diode：激光二極管）等的發(fā)光器件已實(shí)用化。這些發(fā)光器件通常具備發(fā)光芯片，該發(fā)光芯片形成有通過施加電壓來發(fā)出光的發(fā)光層。發(fā)光芯片的制造是如下進(jìn)行的：首先，在結(jié)晶生長用基板上的由格子狀的分割預(yù)定線劃分出的各個(gè)區(qū)域中，使外延層（結(jié)晶層）生長為發(fā)光層。然后，通過沿著分割預(yù)定線分割結(jié)晶生長用基板來進(jìn)行單片化，由此形成一個(gè)一個(gè)的發(fā)光芯片。

在射出綠色或藍(lán)色光的發(fā)光層為InGaN系的發(fā)光芯片中，結(jié)晶生長用基板一般使用藍(lán)寶石，在該藍(lán)寶石基板上，依次地外延生長出n型GaN半導(dǎo)體層、InGaN發(fā)光層、p型GaN半導(dǎo)體層。然后，在n型GaN半導(dǎo)體層和p型GaN半導(dǎo)體層上分別形成外部取出用電極。在具有這樣的發(fā)光芯片的發(fā)光器件中，要求更高的亮度，并提出了用于提高光的取出效率的各種方法（例如，參照專利文獻(xiàn)1）。

專利文獻(xiàn)1：日本特開平4-10670號(hào)公報(bào)

另外，關(guān)于安裝有LED等的發(fā)光器件的發(fā)光效率，倒裝芯片（flip?chip）安裝比引線接合（wire?bonding）安裝高出幾個(gè)百分點(diǎn)。在倒裝芯片安裝中，將發(fā)光芯片的正面?zhèn)龋òl(fā)光層側(cè)）固定于封裝安裝面，使發(fā)光芯片的背面?zhèn)龋ㄋ{(lán)寶石基板側(cè)）露出。接著，使通過施加電壓而由發(fā)光層產(chǎn)生的光透射過藍(lán)寶石基板從發(fā)光芯片的背面?zhèn)龋ㄋ{(lán)寶石基板側(cè)）放射出去。然而，所述發(fā)光芯片的背面是藍(lán)寶石基板與空氣層的界面部分，因此由發(fā)光層產(chǎn)生的光的一部分在該界面處發(fā)生反射。反射的光在藍(lán)寶石基板內(nèi)傳播、返回發(fā)光層而被吸收。該被吸收的部分的光無法取出到外部而成為亮度下降的主要原因。這樣，若由藍(lán)寶石基板反射而被發(fā)光層吸收的光的比例高，則存在發(fā)光二極管的光的取出效率下降的問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明正是鑒于上述問題而完成的，其目的在于提供一種發(fā)光器件，該發(fā)光器件能夠進(jìn)一步提高以倒裝芯片方式安裝的發(fā)光二極管的光的取出效率。

根據(jù)本發(fā)明，提供一種發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光器件具備：封裝，其具有底面和內(nèi)周面；發(fā)光二極管，其具有基板和在該基板的正面上形成的發(fā)光層，該發(fā)光層側(cè)安裝于所述封裝的所述底面；以及透光性部件，其粘接于所述發(fā)光二極管的所述基板的背面。

根據(jù)該結(jié)構(gòu)，在發(fā)光二極管的背面粘接有透光性部件，因此能夠減少從發(fā)光層射出的光中的在發(fā)光二極管的背面處發(fā)生反射的光，并增加向透光性部件側(cè)透射的光。而且，對(duì)于在透光性部件與空氣層的界面處發(fā)生反射的光，根據(jù)透光性部件的厚度，能夠?qū)⒎祷匕l(fā)光層的光的比例抑制得較低，作為其結(jié)果，起到了提高光的取出效率的效果。

優(yōu)選的是，該發(fā)光二極管以在藍(lán)寶石基板或GaN基板上層疊由GaN半導(dǎo)體層形成的發(fā)光層的方式構(gòu)成。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，能夠在發(fā)出藍(lán)色或綠色光的發(fā)光二極管中，提高光的取出效率。并且由于以包含藍(lán)寶石基板或GaN基板的方式構(gòu)成發(fā)光二極管，所以能夠使得在透光性部件與空氣層的界面處發(fā)生反射的光從基板側(cè)面射出，由此也能夠提高光的取出效率。并且，即使使藍(lán)寶石基板或GaN基板變薄，也能夠根據(jù)透光性部件的厚度，將反射光朝向偏離于發(fā)光層的位置射入，因此能夠利用薄的藍(lán)寶石基板或GaN基板而不會(huì)降低光的取出效率，能夠維持薄的結(jié)晶生長用基板的加工性。

根據(jù)本發(fā)明，能夠提供能夠提高光的取出效率的新穎結(jié)構(gòu)的發(fā)光器件。

附圖說明

圖1是示意地示出本實(shí)施方式的發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)例的立體圖。

圖2是示出本實(shí)施方式的發(fā)光器件的發(fā)出光的情形的截面示意圖。

圖3是示出比較例的發(fā)光器件的發(fā)出光的情形的截面示意圖。

標(biāo)號(hào)說明

1：發(fā)光器件；

2：封裝；

2a：安裝面；

3：發(fā)光二極管；

3a：發(fā)光二極管的正面；

3b：發(fā)光二極管的背面；

5：板材；

5a：板材的第1主面；

5b：板材的第2主面；

7：凹部；

7a：內(nèi)周面；

8a、8b：連接電極；

10：藍(lán)寶石基板；

11：發(fā)光層。

具體實(shí)施方式