[發(fā)明專利]具有補(bǔ)償區(qū)的半導(dǎo)體器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410149318.6
• 申請(qǐng)日: 2014-04-15
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104103691B
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-05-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: F.希爾勒
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 英飛凌科技奧地利有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L29/861;H01L29/06
• 代理公司: 中國(guó)專利代理(香港)有限公司72001
• 代理人: 張凌苗,徐紅燕

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

半導(dǎo)體基體，其包括內(nèi)區(qū)和邊緣區(qū)；

第一摻雜類型的第一摻雜器件區(qū)，其在所述內(nèi)區(qū)和所述邊緣區(qū)中并且耦合到第一端子；

與所述第一摻雜類型互補(bǔ)的第二摻雜類型的至少一個(gè)第二摻雜器件區(qū)，其在所述內(nèi)區(qū)中并耦合到第二端子；以及

所述邊緣區(qū)中的少數(shù)載流子轉(zhuǎn)換器結(jié)構(gòu)，所述少數(shù)載流子轉(zhuǎn)換器結(jié)構(gòu)包括與所述第一摻雜器件區(qū)鄰接的所述第二摻雜類型的第一阱區(qū)，以及將所述第一阱區(qū)電耦合到所述第一摻雜器件區(qū)的導(dǎo)體，其中，所述少數(shù)載流子轉(zhuǎn)換器結(jié)構(gòu)還包括所述第一摻雜類型的并且比所述第一摻雜器件區(qū)更高摻雜的接觸區(qū)，其中所述接觸區(qū)連接到所述導(dǎo)體并且與所述第一摻雜器件區(qū)鄰接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述少數(shù)載流子轉(zhuǎn)換器結(jié)構(gòu)還包括所述第二摻雜類型的并且比所述第一阱區(qū)更低摻雜的第二阱區(qū)，其中所述第二阱區(qū)與所述第一摻雜器件區(qū)和所述第一阱區(qū)鄰接，并且與所述第一阱區(qū)相比，所述第二阱區(qū)從第一表面更深地延伸到所述半導(dǎo)體基體中。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第二阱區(qū)和所述第二摻雜器件區(qū)具有相同的摻雜濃度。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述導(dǎo)體連接到所述第二阱區(qū)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括所述邊緣區(qū)中的第二摻雜的至少一個(gè)另外器件區(qū)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述至少一個(gè)另外器件區(qū)是浮置的。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一阱區(qū)在所述半導(dǎo)體基體的水平面中包圍所述內(nèi)區(qū)。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，還包括所述第一摻雜類型的接觸區(qū)，其中，所述接觸區(qū)比所述第一摻雜器件區(qū)更高摻雜，在所述半導(dǎo)體基體的水平面中包圍所述內(nèi)區(qū)，連接到所述導(dǎo)體，并且與所述第一摻雜器件區(qū)鄰接。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，還包括所述第一摻雜類型的并且比所述第一摻雜器件區(qū)更高摻雜的多個(gè)接觸區(qū)，其中，接觸區(qū)在所述半導(dǎo)體基體的水平面中相互隔開(kāi)，連接到所述導(dǎo)體并且與所述第一摻雜器件區(qū)鄰接。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，包括在所述半導(dǎo)體基體的水平面中相互隔開(kāi)的多個(gè)第一阱區(qū)。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述多個(gè)第一阱區(qū)限定了圍繞所述內(nèi)區(qū)的環(huán)。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，還包括所述第一摻雜類型的并且比第一摻雜器件區(qū)更高摻雜的多個(gè)接觸區(qū)，其中所述多個(gè)接觸區(qū)中的每一個(gè)接觸區(qū)連接到所述導(dǎo)體并且與所述第一摻雜器件區(qū)鄰接。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述多個(gè)第一阱區(qū)和所述多個(gè)接觸區(qū)交替布置，并且限定了圍繞所述內(nèi)區(qū)的環(huán)。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，

其中，所述第一摻雜器件區(qū)是漂移區(qū)，所述第二摻雜器件區(qū)是補(bǔ)償區(qū)，所述第一端子是漏極端子，并且所述第二端子是源極端子，并且

其中，所述半導(dǎo)體器件還包括：

所述第一摻雜類型的源極區(qū)以及所述第二摻雜類型的基體區(qū)，分別連接到所述源極端子，其中所述基體區(qū)布置在所述源極區(qū)和所述漂移區(qū)之間；

與所述基體區(qū)相鄰并且通過(guò)柵極電介質(zhì)與所述基體區(qū)介電絕緣的柵極電極。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體器件，還包括所述第一摻雜類型的漏極區(qū)，其與所述漂移區(qū)鄰接，并且比所述漂移區(qū)更高摻雜。

16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，

其中，所述第一摻雜器件區(qū)是基極區(qū)，所述第二摻雜器件區(qū)是補(bǔ)償區(qū)，所述第一端子是陽(yáng)極和陰極端子中的一個(gè)，并且所述第二端子是陽(yáng)極和陰極端子中的另一個(gè)，

其中，所述半導(dǎo)體器件還包括：

所述第二摻雜類型的并且連接到所述第一端子的第一發(fā)射極區(qū)；以及

與所述基極區(qū)鄰接并且比所述基極區(qū)更高摻雜的所述第一摻雜類型的第二發(fā)射極區(qū)。