[發(fā)明專利]電路布置和用于再生電流的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410148868.6
• 申請日: 2014-04-14
• 公開（公告）號: CN104124855B
• 公開（公告）日: 2017-05-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: A·桑布科
• 申請（專利權(quán)）人: 英飛凌科技奧地利有限公司
• 主分類號: G05F1/46
• 分類號: G05F1/46
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所11256
• 代理人: 王茂華

技術(shù)領(lǐng)域

多種實施例大體涉及電路布置和用于再生電流的方法。

背景技術(shù)

一些申請需要電流的測量，例如用于電流控制或者用于過流保護。被測量的大電流可以通過更容易處理的較小的電流被跟蹤。例如可以通過使用具有運算放大器的反饋回路實施跟蹤。但是，由于用于穩(wěn)定性所需要的電容，運算放大器一般具有有限的轉(zhuǎn)換速率和有限的帶寬。當快速跟蹤變化較大的電流時，這可能導(dǎo)致較小的電流的系統(tǒng)偏移。在最壞的情況中，較小的電流不能夠跟蹤較大的電流。

發(fā)明內(nèi)容

在多種實施例中，提供了一種電路布置。電路布置可以包括第一分支、第二分支和開關(guān)反饋結(jié)構(gòu)。開關(guān)反饋結(jié)構(gòu)可以被耦合到第一分支并且被耦合到第二分支。開關(guān)反饋結(jié)構(gòu)可以被配置為調(diào)整在第二分支中的電流以跟蹤在第一分支中的電流。

附圖說明

在附圖中，相似的附圖標記通常指的是貫穿不同視圖的相同的部分。附圖不是必須按比例繪制，而是重點通常地被放在圖示本發(fā)明的原理上。在附圖中，附圖標記的最左邊的數(shù)字能夠標識附圖標記在其中第一次出現(xiàn)的附圖。相同的數(shù)字能夠貫穿附圖被使用以指示相似的特征和組件。在下文中的描述中，本發(fā)明的各種實施例參考下文中的附圖來描述，其中：

圖1示出電路布置的實施例；

圖2示出電路布置的另一個實施例；

圖3示出在電路布置的實施例中的信號；

圖4示出再一個電路布置的實施例；以及

圖5示出又一個電路布置的實施例。

具體實施方法

下文中的詳細描述參考附圖，附圖通過圖示的方式示出了具體的細節(jié)和本發(fā)明可以在其中被實踐的實施例。

單詞“示例性”在本文中被使用以表示“用作示例、實例、或者圖示”。本文中描述為“示例性”的任何實施例或者設(shè)計不必要被認為是優(yōu)選的或者勝過其他實施例或者設(shè)計。

圖1示出電路布置100的實施例。電路布置100可以包括第一分支102和第二分支104。分支102、104都可以被連接到共同的的電壓Vin1，例如該電壓可以是用于負載的供給電壓。

第一分支102可以是負載電流分支。它可以運送流經(jīng)負載的負載電流的電流I1（圖1中未示出）。負載可以被耦合到端子103。電流I1可以通過第一晶體管M1控制。第一晶體管M1的第一端子可以被耦合到供給電壓Vin1。第一晶體管M1的第二端子可以經(jīng)由端子103被耦合到負載。第一晶體管M1可以是功率晶體管，例如功率場效應(yīng)晶體管（FET）。功率FET可以是功率金屬氧化物半導(dǎo)體（MOS）FET，例如擴散MOS（DMOS）或者垂直擴散MOS（VDMOS）。第一晶體管M1可以形成第一分支102的部分。它可以通過應(yīng)用于其柵極的信號被控制，例如經(jīng)由端子101。信號可以通過例如功率集成電路的驅(qū)動級提供。它可以是具有兩個狀態(tài)的數(shù)字信號，例如邏輯低狀態(tài)和邏輯高狀態(tài)。第一晶體管M1可以在一個邏輯狀態(tài)中導(dǎo)通，并且在其他邏輯狀態(tài)中不導(dǎo)通。

第二分支104可以是感測電流分支。它可以運送電流I2，其可以是感測電流。電流I2可以通過電路布置100被調(diào)整以再生流經(jīng)第一分支102的電流I1，即，它可以跟蹤或者跟隨電流I1的波形。電流I2可以通過第二晶體管M2控制。第二晶體管M2可以形成第二分支104的部分。第二晶體管M2的第一端子可以被耦合到供給電壓Vin1。第二晶體管M2可以通過應(yīng)用信號到它的柵極來被控制，該信號是應(yīng)用于第一晶體管M1的柵極的相同的信號。第二晶體管M2也可以是FET。

第一晶體管M1和第二晶體管M2可以具有不同的縱橫比。它們可以通過因子N來區(qū)別。因子N可以是整數(shù)。它可能在1000到100000的范圍內(nèi)。它可能在10000到50000的范圍內(nèi)。它可能近似于30000。通過設(shè)計第二晶體管M2的寬度W與長度L的比W/L為比第一晶體管M1的寬度W與長度L的比W/L小N倍，可以設(shè)置因子N。由于不同的縱橫比，僅流經(jīng)晶體管M1的電流I1的小部分會流經(jīng)第二晶體管M2。例如，電流I1可能是30A，并且電流I2可能是1mA。

電路布置100可以包括開關(guān)反饋結(jié)構(gòu)105。開關(guān)反饋結(jié)構(gòu)105可以被耦合到第一分支102并且被耦合到第二分支104。它可以被配置為調(diào)整在第二分支104中的電流I2以跟蹤或者跟隨在第一分支102中的電流I1。