[發明專利]一種在GaAs圓片上實現異機匹配套刻的方法有效

申請號：	201410147681.4	申請日：	2014-04-14
公開（公告）號：	CN103984210A	公開（公告）日：	2014-08-13
發明（設計）人：	王溯源;彭勁松;高建峰	申請（專利權）人：	中國電子科技集團公司第五十五研究所
主分類號：	G03F7/20	分類號：	G03F7/20
代理公司：	南京君陶專利商標代理有限公司 32215	代理人：	沈根水
地址：	210016 ***	國省代碼：	江蘇;32
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種 gaas 圓片上實現異機匹配套方法
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【說明書】：

技術領域

本發明涉及的是一種在GaAs圓片上實現異機匹配套刻的方法，尤其是一種在GaAs圓片上實現nikon步進式光刻機和ASML掃描式光刻機匹配套刻的方法。屬于半導體技術領域。

背景技術

GaAs微波單片集成電路(MMIC)具有高可靠性、高線性、低噪聲和良好的頻率特性等優點，基于GaAs的傳輸接收模塊、低噪聲放大器、功率放大器、開關電路和移相器、變頻器等已經被廣泛應用于無線射頻通訊和微波通訊電路系統。由于對器件工作頻率以及數據處理速度的要求越來越高，對相應的GaAs工藝提出了更高的要求。

一般的，在一定的設計規則下，GaAs光刻工藝過程中大約有1/3是關鍵層，有1/3是中等關鍵層，另外1/3是是非關鍵層；如今隨著半導體工藝的不斷進步，GaAs工藝的設計規則不斷縮小，直至150?nm甚至更小。在引入深紫外（DUV）和極紫外（EUV）曝光設備后，盡管有一定理由可以全部采用DUV或EUV曝光設備進行全部圖層的曝光，但是考慮到生產成本，往往采用混合匹配來處理一些非關鍵層的曝光。混合匹配包含兩種類型，一種是同型號不同系列的高低端曝光設備的匹配，另外一種是不同型號高低端曝光設備的匹配；前者一般采用同一種標記系統，匹配套刻相對要容易一些，而對于后者，往往需要解決采用不同標記系統曝光設備之間的匹配問題。

實現異機匹配的關鍵在于建立一套標準的流程，對光刻機參數，包括場鏡誤差匹配、格柵誤差匹配和線寬控制匹配等，進行修正，保證在不影響光刻套刻質量和線寬控制要求的前提下，充分發揮不同光刻機的作用，特別是發揮價格昂貴的高性能光刻機的作用，從而可以提高生產效率。

發明內容

本發明的目的是在GaAs圓片上實現nikon步進式光刻機和ASML掃描式光刻機的匹配套刻。

本發明的技術解決方案：一種在GaAs圓片上實現nikon步進式光刻機和ASML掃描式光刻機匹配套刻的方法，包括如下步驟：

1）制作一塊用于ASML掃描式光刻機的掩膜版，該掩膜版包含ASML?和nikon的圓片對準標記圖形及第一overlay圖形；

2）制作一塊用于Nikon步進式光刻機的掩膜版，該掩膜版包含第二overlay圖形，第二overlay圖形和第一overlay圖形具有套刻關系且能利用常規測試方法統計出兩層的套刻精度；

3）利用標準GaAs圓片校準ASML掃描式光刻機的焦平面參數；

4）GaAs圓片表面plasma打膠和清洗處理,并涂覆厚度約800nm?的DUV光刻膠；

5）ASML掃描式光刻機利用步驟1）所述的掩膜版在步驟4）所述的GaAs圓片上曝光ASML?和nikon的對準標記圖形以及第一overlay圖形；

6）GaAs圓片顯影，顯影后腐蝕GaAs，去除光刻膠后,重新涂覆厚度約800nm?的i-line光刻膠；

7）利用nikon步進式光刻機在GaAs圓片上曝光第二overlay圖形，顯影后測試兩層的套刻精度，補償nikon步進式光刻機需要調整的參數，實現兩臺設備的匹配套刻。

本發明具有以下優點：