[發(fā)明專利]一種彈性微橋式RF MEMS開關(guān)

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410147457.5
• 申請日: 2014-04-14
• 公開（公告）號(hào): CN103943418A
• 公開（公告）日: 2014-07-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊俊民
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州錕恩電子科技有限公司
• 主分類號(hào): H01H59/00
• 分類號(hào): H01H59/00
• 代理公司: 南京縱橫知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32224
• 代理人: 董建林

1.一種彈性微橋式RF?MEMS開關(guān)，包括襯底、位于襯底上的緩沖介質(zhì)層、接地線、共面波導(dǎo)傳輸線、錨點(diǎn)、絕緣介質(zhì)層、彈性折疊梁、上電極；所述接地線、共面波導(dǎo)傳輸線、錨點(diǎn)設(shè)于緩沖介質(zhì)層上，所述絕緣介質(zhì)層覆于所述共面波導(dǎo)傳輸線上，所述上電極位于所述絕緣介質(zhì)層之上，所述上電極與所述絕緣介質(zhì)層留有間隙，其特征在于：所述上電極分為驅(qū)動(dòng)電極板和電容上極板，所述驅(qū)動(dòng)電極板位于所述電容上極板兩側(cè)，所述驅(qū)動(dòng)電極板和電容上極板之間通過雙直梁連接；所述彈性折疊梁一端與錨點(diǎn)連接，一端與驅(qū)動(dòng)電極板側(cè)面連接，所述彈性折疊梁彎曲形狀為n形、彎曲個(gè)數(shù)為2個(gè)、套數(shù)為2個(gè)。

2.如權(quán)利要求1所述的一種彈性微橋式RF?MEMS開關(guān)，其特征在于：所述襯底材料選用高阻硅(大于1000Ω·cm)，緩沖介質(zhì)層材料為SiO₂，絕緣介質(zhì)層材料為Si₃N₄。

3.如權(quán)利要求2所述的一種彈性微橋式RF?MEMS開關(guān)，其特征在于：所述緩沖介質(zhì)層厚為1μm,所述絕緣介質(zhì)層厚度為150nm。

4.如權(quán)利要求1所述的一種彈性微橋式RF?MEMS開關(guān)，其特征在于：所述驅(qū)動(dòng)電極板和電容上極板、所述彈性折疊梁材料為Si/Al合金。