[發明專利]用于分析氣體的方法

在審

• 申請號: 201410147360.4
• 申請日: 2014-04-14
• 公開（公告）號: CN104101643A
• 公開（公告）日: 2014-10-15
• 發明（設計）人: R.菲克斯;D.孔茨;A.克勞斯;K.薩納;P.諾爾特
• 申請（專利權）人: 羅伯特·博世有限公司
• 主分類號: G01N27/62
• 分類號: G01N27/62
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 盧江;胡莉莉

1.用于分析氣體（102）的方法（200），其中所述方法（200）具有以下步驟：

提供（202）氣體傳感器（100），其中所述氣體傳感器（100）具有用于第一薄層離子導體（108）和電路（106）的載體材料（104），其中所述第一薄層離子導體（108）將用于參考氣體（112）的參考空間（110）與用于所述氣體（102）的測量空間（114）分開，其中所述第一薄層離子導體（108）具有參考電極（116）和測量電極（118），其中所述參考電極（116）朝向所述參考空間（110）并且所述測量電極（118）朝向所述測量空間（114），其中所述參考電極（116）和所述測量電極（118）與所述電路（106）連接；

測量（204）所述參考電極（116）和所述測量電極（118）之間的電壓（302）；以及

確定（206）所述氣體（102）中的化學種類的分壓力，其中所述電壓（302）在所述電路（106）中在使用所存放的處理規則的情況下被處理，以便確定所述分壓力。

2.根據權利要求1所述的方法（200），其中在確定步驟（206）中所述分壓力在使用存放在所述電路（106）中的、用于補償所述氣體傳感器（100）的制造公差的補償特性曲線的情況下被確定。

3.根據上述權利要求之一所述的方法（200），其中在確定步驟（206）中所述電壓（302）以存放在所述電路（106）中的因子或數學函數被放大，以便確定所述分壓力。

4.根據上述權利要求之一所述的方法（200），其中在提供（202）步驟中所述氣體傳感器（100）具有第二薄層離子導體（120）并且所述測量空間（114）被構造為布置在半導體襯底（104）中的空腔，其中所述第二薄層離子導體（120）將所述測量空間（114）與用于所述氣體（102）的氣體空間（122）分開，其中所述測量空間（114）通過擴散勢壘（124）與所述氣體空間（122）連接，其中所述擴散勢壘（124）能夠實現所述氣體（102）在所述測量空間（114）和所述氣體空間（122）之間的受控制的擴散并且所述第二薄層離子導體（120）具有第一泵電極（126）和第二泵電極（128），其中所述第一泵電極（126）朝向所述測量空間（114）并且所述第二泵電極（128）朝向所述氣體空間（122）并且所述第一泵電極（126）和所述第二泵電極（128）與所述電路（106）連接，其中所述方法（200）具有泵送步驟和檢測步驟，其中在泵送步驟中化學種類的離子通過所述第二薄層離子導體（120）被泵送，直至在所述測量空間（114）中存在所述化學種類的存放在所述電路（106）中的濃度，其中在所述第一泵電極（126）和所述第二泵電極（128）之間施加泵電壓，以便通過所述第二薄層離子導體（120）泵送所述離子并且在檢測步驟中通過所述第二薄層離子導體（120）的離子流被檢測，其中在第一泵電極（126）和第二泵電極（128）之間的通過電流（I_p）被測量，以便檢測所述離子流，其中所述分壓力此外在使用泵電壓和通過電流（I_p）的情況下被確定。

5.根據上述權利要求之一所述的方法（200），其中在泵送步驟中所述泵電壓在使用所述第一薄層離子導體（108）上的電壓（302）的情況下被調節。

6.根據上述權利要求之一所述的方法（200），具有確定所述第一薄層離子導體（108）和/或所述第二薄層離子導體（120）的溫度（T）的步驟，其中在確定步驟（206）中所述分壓力此外在使用所述溫度（T）的情況下被確定。

7.根據上述權利要求之一所述的方法（200），具有對所述第一薄層離子導體（108）和/或第二薄層離子導體（120）調溫的步驟，其中所述第一薄層離子導體（108）被調溫到第一溫度（T），以便測量所述濃度和/或所述第二薄層離子導體被調溫到第二溫度（T），以便泵送所述離子。

8.根據權利要求7所述的方法（200），其中在調溫步驟中所述第一薄層離子導體（108）被調溫到其它溫度（T），以便測量其它化學種類的其它濃度和/或所述第二薄層離子導體（120）被調溫到另外的溫度（T），以便泵送所述其它化學種類，其中在確定步驟（206）中所述其它化學種類的其它的分壓力被確定。